針對(duì)獨(dú)立三柵FinFET器件及其反相器的單粒子瞬態(tài)效應(yīng)展開了深入研究。首先分析了N型獨(dú)立三柵器件中最敏感區(qū)域的位置以及不同工作電壓對(duì)器件敏感性的影響。然后,基于獨(dú)立三柵器件獨(dú)特的電流控制方式搭建五種不同工作模式的反相器單元,對(duì)重離子撞擊NMOS下拉管最敏感區(qū)域的單粒子瞬態(tài)效應(yīng)(SET)敏感性進(jìn)行了比較。三維數(shù)值TCAD仿真結(jié)果表明,脈沖峰值電流與重離子在溝道中的路徑體積成正比,且最敏感區(qū)域?yàn)槁┡c溝道之間的空間電荷區(qū),工作電壓會(huì)影響溝道勢(shì)壘,從而影響器件的SET。另外,不同工作模式的反相器對(duì)改善抗輻照能力具有參考意義。

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【文章目錄】：
0 引 言
1 器件結(jié)構(gòu)與仿真設(shè)置
2 結(jié)果與分析
    2.1 入射角度
    2.2 入射區(qū)域
    2.3 電源電壓的影響
    2.4 組合邏輯單元-反相器
3 結(jié) 論



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