微分負(fù)阻NDR特性電路的研究與設(shè)計
發(fā)布時間:2023-03-18 15:39
新型電子器件共振隧穿二極管(Resonant tunneling diode,RTD),由于其高頻高速、低功耗等優(yōu)點受到了廣泛的關(guān)注,其獨特的I-V特性曲線,使得它在電路設(shè)計時有非常的優(yōu)勢。利用它的負(fù)微分電阻特性(Negative differential resistance,NDR),RTD在振蕩器、邏輯電路、無線通信和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域的有諸多的應(yīng)用。本文首先對RTD建模進(jìn)行了研究,分析了各個參數(shù)對模型特性曲線的影響。針對RTD其在負(fù)阻區(qū)內(nèi)局部呈現(xiàn)的滯回特性,本文利用RTD的NDR負(fù)阻特性,其負(fù)阻區(qū)工作不穩(wěn)定的特點,進(jìn)而構(gòu)建了具有滯回特性的RTD開關(guān)單元電路。對電路的高低阻態(tài)特征、呈現(xiàn)的滯回特性、閾值電壓等性質(zhì)進(jìn)行了分析,通過數(shù)學(xué)公式推導(dǎo),得出了影響其滯回曲線特性變化的參數(shù),并進(jìn)行了仿真驗證。與RTD局部呈現(xiàn)的滯回特性相比,RTD開關(guān)單元電路的滯回曲線范圍更大,使得其在邏輯電路設(shè)計中能夠更方便的使用,并且可以控制的閾值電壓使得應(yīng)用更加靈活。其次本文進(jìn)一步改進(jìn)了原來的NDR負(fù)阻網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),利用對稱結(jié)構(gòu)搭建了雙向的NDR負(fù)阻網(wǎng)絡(luò),基于此設(shè)計了基于NDR負(fù)阻特性的憶阻器。通過利用不同的NDR...
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
1.1 研究的目的及意義
1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀及發(fā)展動態(tài)分析
1.3 論文的研究內(nèi)容
第2章 共振隧穿器件RTD的負(fù)阻特性研究與建模
2.1 RTD概述
2.1.1 共振隧穿二極管RTD結(jié)構(gòu)
2.1.2 共振隧穿二極管RTD工作原理
2.1.3 共振隧穿二極管RTD電路中的應(yīng)用
2.2 共振隧穿二極管的等效模型
第3章 具有滯回特性的RTD開關(guān)電路
3.1 具有滯回特性的RTD開關(guān)電路設(shè)計
3.1.1 RTD的MOBILE電路工作原理
3.1.2 具備滯回特性的RTD開關(guān)單元電路
3.2 開關(guān)單元電路滯回特性分析
3.3 MOS-NDR網(wǎng)絡(luò)參數(shù)對滯回特性開關(guān)電路的影響
3.4 改進(jìn)型RTD滯回開關(guān)電路
3.4.1 RTD+HEMT并聯(lián)的三端結(jié)構(gòu)
3.4.2 改進(jìn)型RTD滯回開關(guān)電路結(jié)構(gòu)及其特性
3.5 本章小結(jié)
第4章 基于NDR特性的憶阻器設(shè)計
4.1 憶阻器概述
4.1.1 憶阻器電路特性
4.1.2 憶阻器模型的構(gòu)建
4.1.3 共振隧穿二極管RTD與憶阻器的相似性分析
4.2 基于RTD的MOS-NDR憶阻器模型設(shè)計
4.3 Λ-MOS-NDR型結(jié)構(gòu)憶阻器
4.4 基于RTD的R-HBT-NDR型結(jié)構(gòu)憶阻器
4.5 憶阻器實驗測試
4.6 本章小結(jié)
第5章 NDR邏輯單元設(shè)計方法在憶阻器電路中的研究和應(yīng)用
5.1 RTD基本邏輯運算單元
5.1.1 基于RTD的與運算單元
5.1.2 基于RTD的或運算單元
5.1.3 基于RTD的非運算單元
5.2 憶阻器的基本邏輯運算單元
5.2.1 基于憶阻器的邏輯非運算單元
5.2.2 基于憶阻器的邏輯或運算單元
5.2.3 基于憶阻器的邏輯與運算單元
5.3 基于憶阻器的改進(jìn)型邏輯單元設(shè)計方法
5.3.1 memRth憶阻器與RTD導(dǎo)通/翻轉(zhuǎn)操作分析
5.3.2 改進(jìn)型運算單元的設(shè)計
5.4 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
6.1 總結(jié)與展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄: 作者在讀期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及參加的科研項目
本文編號:3763403
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
1.1 研究的目的及意義
1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀及發(fā)展動態(tài)分析
1.3 論文的研究內(nèi)容
第2章 共振隧穿器件RTD的負(fù)阻特性研究與建模
2.1 RTD概述
2.1.1 共振隧穿二極管RTD結(jié)構(gòu)
2.1.2 共振隧穿二極管RTD工作原理
2.1.3 共振隧穿二極管RTD電路中的應(yīng)用
2.2 共振隧穿二極管的等效模型
第3章 具有滯回特性的RTD開關(guān)電路
3.1 具有滯回特性的RTD開關(guān)電路設(shè)計
3.1.1 RTD的MOBILE電路工作原理
3.1.2 具備滯回特性的RTD開關(guān)單元電路
3.2 開關(guān)單元電路滯回特性分析
3.3 MOS-NDR網(wǎng)絡(luò)參數(shù)對滯回特性開關(guān)電路的影響
3.4 改進(jìn)型RTD滯回開關(guān)電路
3.4.1 RTD+HEMT并聯(lián)的三端結(jié)構(gòu)
3.4.2 改進(jìn)型RTD滯回開關(guān)電路結(jié)構(gòu)及其特性
3.5 本章小結(jié)
第4章 基于NDR特性的憶阻器設(shè)計
4.1 憶阻器概述
4.1.1 憶阻器電路特性
4.1.2 憶阻器模型的構(gòu)建
4.1.3 共振隧穿二極管RTD與憶阻器的相似性分析
4.2 基于RTD的MOS-NDR憶阻器模型設(shè)計
4.3 Λ-MOS-NDR型結(jié)構(gòu)憶阻器
4.4 基于RTD的R-HBT-NDR型結(jié)構(gòu)憶阻器
4.5 憶阻器實驗測試
4.6 本章小結(jié)
第5章 NDR邏輯單元設(shè)計方法在憶阻器電路中的研究和應(yīng)用
5.1 RTD基本邏輯運算單元
5.1.1 基于RTD的與運算單元
5.1.2 基于RTD的或運算單元
5.1.3 基于RTD的非運算單元
5.2 憶阻器的基本邏輯運算單元
5.2.1 基于憶阻器的邏輯非運算單元
5.2.2 基于憶阻器的邏輯或運算單元
5.2.3 基于憶阻器的邏輯與運算單元
5.3 基于憶阻器的改進(jìn)型邏輯單元設(shè)計方法
5.3.1 memRth憶阻器與RTD導(dǎo)通/翻轉(zhuǎn)操作分析
5.3.2 改進(jìn)型運算單元的設(shè)計
5.4 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
6.1 總結(jié)與展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄: 作者在讀期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及參加的科研項目
本文編號:3763403
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