在高壓開關(guān)場合的IGBT串聯(lián)應(yīng)用中,由于IGBT本身、電路參數(shù)、器件溫差、驅(qū)動信號差異、寄生電容差異等因素的影響,使得IGBT串聯(lián)使用中存在電壓失衡導(dǎo)致高壓擊穿的問題,影響整個系統(tǒng)的正常工作。因此,文中就導(dǎo)致電壓失衡的因素進行分析與研究,針對造成電壓失衡的影響因素進行理論分析,對IGBT串聯(lián)電壓失衡機理進行了較為深入的研究,并提出平衡串聯(lián)IGBT串聯(lián)動態(tài)電壓的方法。通過分析得出引起串聯(lián)IGBT動態(tài)電壓失衡的根本原因有三方面:動態(tài)阻抗不一致導(dǎo)致的動態(tài)分壓不一致;開關(guān)時刻及速度不一致;寄生電容引起的分流導(dǎo)致各級IGBT流過的電流不一致。

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【文章目錄】：
0 引言
1 IGBT串聯(lián)電壓失衡因素
    1.1 IGBT串聯(lián)電壓失衡機理
    1.2 影響IGBT串聯(lián)動態(tài)電壓失衡的因素
        1.2.1 IGBT器件本身的影響
        1.2.2 外圍電路的影響
        1.2.3 溫度差異的影響
        1.2.4 IGBT驅(qū)動的影響
        1.2.5 回路寄生電容的影響
2 結(jié)論



本文編號：3757302