隨著電子產(chǎn)品操作頻率和封裝集成密度的逐步升高,其面臨的電磁干擾(EMI)問(wèn)題和熱性能問(wèn)題的嚴(yán)峻性日益凸顯。高速封裝作為印刷電路板和Die的連接橋梁,受到了電子設(shè)計(jì)和制造商的廣泛關(guān)注和研究。本文對(duì)鍵合線-球柵陣列(WB-BGA)封裝和倒裝芯片(FlipChip)封裝的EMI風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行了探究。并從新的走線方式、新的互連結(jié)構(gòu)、新材料等角度提出解決封裝模型EMI輻射問(wèn)題的方案。本文還創(chuàng)新性地提出對(duì)EMI問(wèn)題和熱問(wèn)題進(jìn)行協(xié)同分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)。本文WB-BGA模型,研究了封裝Lid/散熱器(heatsink)和鍵合線對(duì)EMI的影響。傳統(tǒng)的鍵合線盡管成本低廉,但進(jìn)入高頻時(shí),寄生效應(yīng)不能避免。采用條帶鍵合和同軸互連的方式可以改善鍵合線互連的信號(hào)傳輸和輻射問(wèn)題。條帶鍵合可以實(shí)現(xiàn)在全頻帶近10 dB的輻射抑制。提出采用阻性過(guò)孔抑制在低頻和高頻的輻射,以彌補(bǔ)短路過(guò)孔的不足,在全頻段的輻射抑制效果達(dá)7 dB。封裝Lid通常安裝在封裝基板上,起到保護(hù)芯片、更好的散熱、控制翹曲等功能。不幸的是,die上的噪聲容易耦合到封裝Lid上,引起Lid與基板之間的諧振,在諧振頻率附近輻射會(huì)明顯增強(qiáng)。抑制諧振,可以采用阻性Lid...

【文章頁(yè)數(shù)】：90 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
Abstract
縮略詞
第1章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.3 本文的研究?jī)?nèi)容和章節(jié)安排
        1.3.1 研究?jī)?nèi)容
        1.3.2 創(chuàng)新點(diǎn)
        1.3.3 章節(jié)安排
第2章 WB-BGA封裝的EMI風(fēng)險(xiǎn)探究
    2.1 PCB板級(jí)輻射問(wèn)題
        2.1.1 PCB板輻射的產(chǎn)生和腔體諧振
        2.1.2 等效電路
        2.1.3 常見(jiàn)板級(jí)EMI問(wèn)題的改善措施
    2.2 WB-BGA封裝風(fēng)險(xiǎn)項(xiàng)探究
        2.2.1 WB-BGA封裝的仿真模型介紹
        2.2.2 封裝Lid/散熱器引起的EMI風(fēng)險(xiǎn)項(xiàng)
        2.2.3 鍵合線引起的EMI風(fēng)險(xiǎn)項(xiàng)
    2.3 PCB對(duì)封裝EMI的影響
        2.3.1 有無(wú)底層金屬對(duì)PCB自身的影響
        2.3.2 有無(wú)底層金屬的PCB對(duì)封裝EMI的影響
        2.3.3 PCB部分參數(shù)優(yōu)化
    2.4 本章小結(jié)
第3章 針對(duì)WB-BGA封裝EMI風(fēng)險(xiǎn)項(xiàng)的改善方案
    3.1 條帶鍵合線對(duì)封裝EMI的改善
    3.2 阻性過(guò)孔對(duì)封裝EMI的改善
    3.3 石墨烯阻性Lid對(duì)封裝EMI的改善
    3.4 吸波材料對(duì)封裝EMI的改善
    3.5 Wire Bond同軸結(jié)構(gòu)對(duì)SI和EMI的改善
    3.6 本章小結(jié)
第4章 封裝EMI問(wèn)題與熱性能協(xié)同分析
    4.1 傳統(tǒng)設(shè)計(jì)面臨的輻射和熱問(wèn)題
        4.1.1 結(jié)構(gòu)介紹
        4.1.2 輻射機(jī)制
        4.1.3 熱問(wèn)題
    4.2 新方案的設(shè)計(jì)和優(yōu)化
        4.2.1 輻射抑制
        4.2.2 熱優(yōu)化分析
        4.2.3 輻射和熱的協(xié)同分析
    4.3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
    4.4 本章小結(jié)
第5章 Flip Chip封裝的EMI風(fēng)險(xiǎn)探究和改善
    5.1 Flip Chip封裝的仿真模型介紹
    5.2 接地過(guò)孔和接地焊球?qū)MI的改善
    5.3 邊緣過(guò)孔對(duì)封裝EMI的改善
    5.4 布線設(shè)計(jì)對(duì)EMI的影響
    5.5 Flip Chip同軸互連
    5.6 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
    6.1 工作總結(jié)
    6.2 工作展望
參考文獻(xiàn)
個(gè)人簡(jiǎn)介
主要工作及研究成果



本文編號(hào)：3754363