采用二次外延重?fù)诫sn⁺GaN實(shí)現(xiàn)非合金歐姆接觸,并通過優(yōu)化干法刻蝕和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)外延工藝,有效降低了歐姆接觸電阻。將非合金歐姆接觸工藝應(yīng)用于InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)器件制備,器件的有效源漏間距縮小至600 nm。同時(shí),結(jié)合40 nm T型柵工藝,制備了高電流截止頻率(f_T)和最大振蕩頻率(f_max)的InAlN/GaN HFET器件。結(jié)果顯示減小歐姆接觸電阻和柵長(zhǎng)后,器件的電學(xué)特性,尤其是射頻特性得到大幅提升。柵偏壓為0 V時(shí),器件最大漏源飽和電流密度達(dá)到1.88 A/mm;直流峰值跨導(dǎo)達(dá)到681 m S/mm。根據(jù)射頻小信號(hào)測(cè)試結(jié)果外推得到器件的f_T和f_max同為217 GHz。

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【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3743026