隨著有機(jī)電子學(xué)的迅速發(fā)展,有機(jī)半導(dǎo)體及相關(guān)電子器件受到了人們的深度重視,展現(xiàn)出了一系列的優(yōu)勢(shì)和廣闊的應(yīng)用前景,將來完全有潛力替代傳統(tǒng)的無機(jī)電子器件。但是,有機(jī)電子器件也擁有一些無法忽視的缺點(diǎn),這些缺陷嚴(yán)重限制了有機(jī)半導(dǎo)體的發(fā)展速度。要想進(jìn)一步提高有機(jī)電子器件的工作效率,就需要對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體材料的性能和結(jié)構(gòu)有更加深入的認(rèn)識(shí),還需要深入學(xué)習(xí)電荷輸運(yùn)問題。近年來,眾多科研人員都致力于發(fā)展有機(jī)電子器件,他們也有了一定的研究成果,然而,在理論模型方面仍舊有一些爭(zhēng)議和問題。本文正是基于這一問題,研究有機(jī)半導(dǎo)體的電荷輸運(yùn)問題以及物理模型的適用性。論文的主要工作如下:首先,研究了高遷移率n型共聚物N2200的空穴傳輸和電學(xué)特性。研究發(fā)現(xiàn),使用傳統(tǒng)的遷移率模型并不能很好地?cái)M合N2200空穴型器件厚度依賴關(guān)系的J-V特性。然而,修正的擴(kuò)展高斯無序模型(IEGDM)能夠準(zhǔn)確地?cái)M合N2200空穴型器件厚度和溫度依賴關(guān)系的J-V特性曲線。載流子密度的數(shù)值計(jì)算結(jié)果是距交界面距離的減函數(shù),而電場(chǎng)的數(shù)值計(jì)算結(jié)果是距交界面距離的增函數(shù)。所以,載流子密度的最大值和電場(chǎng)的最小值都存在于交界面處。其次,研究了N2200的電子傳...

【文章頁數(shù)】：76 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 選題背景及研究意義
    1.2 有機(jī)電子器件的研究現(xiàn)狀
    1.3 本論文的結(jié)構(gòu)及主要內(nèi)容
2 有機(jī)半導(dǎo)體基本理論
    2.1 有機(jī)半導(dǎo)體的應(yīng)用
        2.1.1 有機(jī)電致發(fā)光二極管
        2.1.2 有機(jī)半導(dǎo)體的電荷輸運(yùn)問題
    2.2 固體材料載流子輸運(yùn)基本模式
        2.2.1 能帶型輸運(yùn)
        2.2.2 跳躍型輸運(yùn)
    2.3 載流子輸運(yùn)的微觀模型
        2.3.1 Miller-Abrahams模型
        2.3.2 極化子模型
    2.4 載流子遷移率的依賴關(guān)系
        2.4.1 遷移率與溫度的關(guān)系
        2.4.2 遷移率與場(chǎng)強(qiáng)的關(guān)系
        2.4.3 遷移率與載流子濃度的關(guān)系
    2.5 高斯態(tài)密度
        2.5.1 高斯無序模型
        2.5.2 相關(guān)無序模型
        2.5.3 擴(kuò)展高斯無序模型
        2.5.4 擴(kuò)展相關(guān)無序模型
    2.6 指數(shù)態(tài)密度
    2.7 伏安關(guān)系基本模式
        2.7.1 注入限制電流
        2.7.2 空間電荷限制電流
    2.8 本章小結(jié)
3 有機(jī)發(fā)光二極管的空穴輸運(yùn)及電性質(zhì)
    3.1 引言
    3.2 修正的擴(kuò)展高斯無序模型
    3.3 結(jié)果分析
        3.3.1 基于N2200 的空穴型有機(jī)二極管的J-V特性
        3.3.2 有機(jī)層N2200 的電性質(zhì)
    3.4 本章小結(jié)
4 有機(jī)發(fā)光二極管的電子輸運(yùn)及電性質(zhì)
    4.1 引言
    4.2 結(jié)果分析
        4.2.1 基于N2200 的電子型有機(jī)二極管的J-V特性
        4.2.2 有機(jī)層N2200 的電性質(zhì)
    4.3 本章小結(jié)
5 基于高遷移率共軛聚合物的空穴型器件
    5.1 引言
    5.2 結(jié)果分析
        5.2.1 比較EGDM和 ECDM得到的J-V特性
        5.2.2 位點(diǎn)-能量的空間相關(guān)性
    5.3 本章小結(jié)
6 基于高遷移率共軛聚合物的電子型器件
    6.1 引言
    6.2 結(jié)果分析
        6.2.1 比較EGDM和 ECDM得到的J-V特性
        6.2.2 位點(diǎn)-能量的空間相關(guān)性
    6.3 本章小結(jié)
7 總結(jié)與展望
    7.1 總結(jié)
    7.2 展望
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)介
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集



本文編號(hào)：3738001