氧化鋅（ZnO）是一種具有寬禁帶（約為3.37 eV）的優(yōu)秀半導體材料,由于它具備激子束縛能（60 meV）大、光透過率高、介電常數(shù)低、溫度穩(wěn)定性好和易于摻雜等優(yōu)點,在太陽能電池、表面聲波器件、紫外探測器、低輻射玻璃、傳感器及發(fā)光器件等領(lǐng)域都具有極大的應(yīng)用前景。理論和實驗研究結(jié)果都表明,摻雜可以有效地提高ZnO的光學性能、電性能和穩(wěn)定性。目前,Sn摻雜ZnO薄膜研究較少,尤其是采用超聲霧化熱分解法制備Sn摻雜ZnO薄膜。本文以SnCl₂作為摻雜源,采用雙源超聲霧化熱分解方法和技術(shù),在不同生長條件下實現(xiàn)高質(zhì)量Sn摻雜ZnO薄膜的可控生長,制備了摻錫氧化鋅薄膜。其開展的研究工作主要有以下幾點:1.研究了Sn摻雜的ZnO（ZSO）薄膜的沉積機理,利用超聲噴霧熱分解技術(shù),通過控制襯底溫度（425℃、450℃、475℃、500℃和525℃）、摻雜濃度（0at.%、1at.%、2at.%、3at.%、4at.%、5at.%、6at.%）和噴涂時間（8min、12min、16min、20min、24min、28min）3個生長條件,在玻璃基底上生長ZnO:Sn薄膜,并對生長完成... 

【文章頁數(shù)】：47 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 國內(nèi)外透明導電薄膜進展
        1.2.1 In_2O_3 系列透明導電薄膜
        1.2.2 SnO_2 系列透明導電薄膜
        1.2.3 ZnO系列透明導電薄膜
    1.3 ZnO的應(yīng)用
    1.4 ZnO常用薄膜制備方法
    1.5 選題的確定及本文研究的主要內(nèi)容
        1.5.1 選題基本理論依據(jù)
        1.5.2 理論研究方案
        1.5.3 實驗制備手段方案
第2章 超聲噴霧熱分解法ZnO:Sn薄膜的制備
    2.1 實驗原料
    2.2 樣品制備方法
    2.3 樣品表征設(shè)備及原理簡介
第3章 ZnO：Sn薄膜結(jié)構(gòu)特性
    3.1 不同襯底溫度對ZnO：Sn薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響
    3.2 ZnO：Sn薄膜表面形貌及化學計量分析
    3.3 不同摻雜濃度對ZnO：Sn薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響
    3.4 不同噴涂時間對ZnO：Sn薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響
    3.5 本章小結(jié)
第4章 ZnO：Sn薄膜的光學性質(zhì)
    4.1 不同襯底溫度對ZnO：Sn光學性質(zhì)的影響
    4.2 不同摻雜濃度對ZnO：Sn薄膜光學性質(zhì)的影響
    4.3 不同噴涂時間對ZnO：Sn薄膜光學性質(zhì)的影響
    4.4 本章小結(jié)
第5章 ZnO:Sn薄膜的疏水性
    5.1 不同襯底溫度下ZnO：Sn薄膜的疏水性質(zhì)
    5.2 不同摻雜濃度下ZnO：Sn薄膜的疏水性質(zhì)
    5.3 不同噴涂時間對ZnO：Sn薄膜的疏水性質(zhì)
    5.4 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)及展望
    6.1 本文總結(jié)
    6.2 后續(xù)工作及展望
參考文獻
致謝
在學期間的科研情況



本文編號：3720935