采用超聲波精細(xì)霧化施液對鈮酸鋰晶片進(jìn)行了化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）實(shí)驗(yàn),研究拋光液復(fù)配參數(shù)（二氧化硅磨料含量、氧化劑含量、絡(luò)合劑含量、表面活性劑含量和pH值）對拋光效果的影響,以材料去除速率和表面粗糙度為評價指標(biāo),根據(jù)正交試驗(yàn)結(jié)果得到最優(yōu)組分的拋光液,分析鈮酸鋰的去除機(jī)理,并與傳統(tǒng)拋光進(jìn)行對比。結(jié)果表明:二氧化硅磨料和氧化劑對鈮酸鋰晶片拋光效果影響顯著。當(dāng)二氧化硅磨料質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%、過氧化氫質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2.5%、檸檬酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.6%、pH值為11和聚乙烯吡咯烷酮質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.4%時,材料去除速率為401.52 nm/min,表面粗糙度為1.04 nm。在相同的拋光工藝參數(shù)下,傳統(tǒng)CMP的材料去除速率為427.68 nm/min,表面粗糙度為1.12 nm;超聲精細(xì)霧化拋光效果與傳統(tǒng)CMP效果相近,但霧化施液方式的拋光液用量低,是傳統(tǒng)CMP的1/7。 

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 實(shí)驗(yàn)材料及方法
    1.2 試驗(yàn)設(shè)計
2 結(jié)果與討論
    2.1 試驗(yàn)結(jié)果
    2.2 霧化CMP材料去除機(jī)理分析
    2.3 試驗(yàn)結(jié)果及分析
    2.4 確定拋光液最優(yōu)組分
    2.5 拋光對比實(shí)驗(yàn)
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]鈮酸鋰晶體的研磨損傷層研究[J]. 李清連,孫軍,吳婧,張玲,許京軍.  人工晶體學(xué)報. 2019(05)
[2]基于鈮酸鋰晶體預(yù)偏置的電光調(diào)Q技術(shù)研究[J]. 顧海棟,張翔,王秋實(shí).  航空制造技術(shù). 2018(17)
[3]高重復(fù)頻率鈮酸鋰電光調(diào)Q Nd∶YVO4激光器（英文）[J]. 商繼芳,孫軍,李清連,吳婧,張玲,竇飛飛,董潮涌,許京軍.  光子學(xué)報. 2018(05)
[4]鈮酸鋰晶片拋光的主要物理及化學(xué)因素分析[J]. 楊靜,楊洪星,韓煥鵬,王雄龍,田原,范紅娜,張偉才.  材料導(dǎo)報. 2017(S2)
[5]鈮酸鋰晶體的研磨亞表面損傷深度[J]. 朱楠楠,朱永偉,李軍,鄭方志,沈琦.  光學(xué)精密工程. 2015(12)
[6]LiNbO3芯片的無損邊緣拋光實(shí)驗(yàn)[J]. 李攀,白滿社,邢云云,嚴(yán)吉中.  應(yīng)用光學(xué). 2014(06)
[7]霧化施液CMP工藝優(yōu)化[J]. 朱仌,李慶忠,王陳.  半導(dǎo)體技術(shù). 2014(09)
[8]霧化施液CMP工藝及材料去除機(jī)制研究[J]. 王陳,李慶忠,朱仌,閆俊霞.  潤滑與密封. 2014(02)
[9]一種使用超聲波精細(xì)霧化施液的SiO2拋光液[J]. 翟靖,李慶忠.  半導(dǎo)體技術(shù). 2012(04)



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