硅基正照式CCD探測器的紫外譜段響應普遍較低。針對如何提高正照式CCD在340 nm～390 nm譜段的紫外光探測性能進行了研究。在研究中,對正照式紫外線陣CCD進行了透射膜層優(yōu)化,達到了光敏區(qū)表面對紫外波段光減少反射的效果;對CCD光敏區(qū)的結構進行了設計優(yōu)化,達到光敏區(qū)降低界面態(tài)干擾的目的;對HAD結構的結構參數(shù)進行了優(yōu)化,獲得了極淺結的HAD結構。通過減反射膜、光敏區(qū)結構、HAD結構等三個方面的優(yōu)化,較大程度地提升了正照式CCD紫外譜段的相互作用量子效率,從而提升了CCD對紫外譜光探測的量子效率。研究結果表明,正照式紫外線陣CCD探測器在300 nm～400 nm譜段范圍內(nèi)平均量子效率達到46.13%,其中340 nm～390 nm譜段范圍內(nèi)平均量子效率從8.6%提高到了47.48%。 

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【文章目錄】：
引言
1 原理分析
    1.1 減反射膜優(yōu)化
    1.2 提高相互作用量子效率
2 試驗
    2.1 光敏區(qū)無HAD結構CCD探測器
    2.2 有HAD結構的CCD探測器
    2.3 HAD優(yōu)化試驗
        2.3.1 優(yōu)化試驗1——刻蝕氮化硅后HAD結構離子注入
        2.3.2 優(yōu)化試驗2——優(yōu)化刻蝕氮化硅工藝后HAD結構離子注入，再刻蝕表層Si O2
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]線陣CCD在工業(yè)檢測中的應用[J]. 孫亞英.  電子技術與軟件工程. 2014(16)



本文編號：3697339