作為電力電子技術(shù)的核心,功率半導體器件在電能的控制、變換和調(diào)節(jié)中有著至關重要的作用。橫向絕緣柵雙極型晶體管（Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,LIGBT）作為一類重要的功率器件,具有輸入阻抗大、導通電壓小、電流密度大、驅(qū)動電路簡單等優(yōu)點。與此同時,在LIGBT發(fā)射極一側(cè)引入載流子儲存層（Carrier-Stored Layer,CSL）,能阻擋漂移區(qū)流入發(fā)射極的空穴載流子,進一步增強電導調(diào)制效應,并優(yōu)化導通壓降(on-state voltage,V_on)和關斷損耗(turn-off loss,E_off)之間的折衷關系。然而,CSL的摻雜濃度(N_CS)不能過高,否則會導致P-base/CSL結(jié)提前擊穿。另一方面,RC-LIGBT（Reverse-Conducting LIGBT）將續(xù)流二極管集成在器件內(nèi)部,使得器件具有反向?qū)щ娔芰?但傳統(tǒng)RC-LIGBT在正向?qū)〞r將會出現(xiàn)電壓折回現(xiàn)象。針對上述問題,作者在陳星弼教授、孔謀夫副教授和易波老師的指導下,開展一系列的研究工作,主... 

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 電力電子技術(shù)和功率半導體器件簡介
    1.2 IGBT研究現(xiàn)狀
    1.3 本文的主要研究工作
第二章 SOI-LIGBT基本理論
    2.1 SOI技術(shù)簡介
    2.2 橫向功率器件耐壓技術(shù)
        2.2.1 RESURF技術(shù)
        2.2.2 場板技術(shù)
        2.2.3 橫向變摻雜技術(shù)
    2.3 SOI-LIGBT電學特性
        2.3.1 LIGBT靜態(tài)特性
            2.3.1.1 阻斷特性
            2.3.1.2 閾值電壓
            2.3.1.3 輸出特性
        2.3.2 LIGBT動態(tài)特性
    2.4 本章小結(jié)
第三章 具有電壓鉗位載流子存儲層SOI-LIGBT的研究
    3.1 研究背景
    3.2 具有二極管鉗位載流子存儲層的SOI-LIGBT
        3.2.1 器件結(jié)構(gòu)和工作原理
        3.2.2 阻斷特性
        3.2.3 正向?qū)ㄌ匦?br>        3.2.4 關斷特性
        3.2.5 短路特性
        3.2.6 工藝可行性討論
    3.3 具有自偏置pMOS鉗位載流子存儲層的SOI-LIGBT
        3.3.1 器件結(jié)構(gòu)和工作原理
        3.3.2 反向耐壓特性
        3.3.3 I-V特性
        3.3.4 瞬態(tài)特性
        3.3.5 短路特性
        3.3.6 可行性工藝步驟
    3.4 本章小結(jié)
第四章 具有內(nèi)嵌肖特基二極管的RC-LIGBT的研究
    4.1 研究背景
    4.2 器件結(jié)構(gòu)和工作原理
    4.3 電流-電壓特性
        4.3.1 阻斷特性
        4.3.2 輸出特性
        4.3.3 短路特性(SCSOA)
    4.4 瞬態(tài)特性
        4.4.1 反向恢復特性
        4.4.2 關斷特性
    4.5 工藝可行性
    4.6 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)與展望
    5.1 全文總結(jié)
    5.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的成果



本文編號：3665665