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CdS x Se 1-x /ZnS(核/殼)量子點(diǎn)的光譜截面及其摻雜光纖的傳光特性

發(fā)布時(shí)間:2022-02-23 01:09
  測(cè)量了不同組份比例x的CdSxSe1-x/ZnS(核/殼)量子點(diǎn)的吸收譜和發(fā)射譜,確定了量子點(diǎn)的吸收系數(shù)、吸收截面和發(fā)射截面.量子點(diǎn)吸收截面隨粒徑的增大而增大、隨x的增大而減小.采用紫外固化膠,制備了摻雜濃度為0.15mg/mL的CdS0.4Se0.6/ZnS量子點(diǎn)光纖,測(cè)量了不同摻雜濃度量子點(diǎn)光纖中473nm泵浦功率的吸收衰減速率.吸收衰減速率和吸收截面弱關(guān)聯(lián)于摻雜濃度.測(cè)量了光致熒光光譜強(qiáng)度隨光纖長(zhǎng)度和量子點(diǎn)濃度的變化.量子點(diǎn)光纖的光致熒光峰值強(qiáng)度隨摻雜濃度和光纖長(zhǎng)度變化而變化,且存在一個(gè)與最大峰值強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的飽和摻雜濃度和光纖長(zhǎng)度.本文的實(shí)驗(yàn)結(jié)果有助于進(jìn)一步構(gòu)建新型的CdSxSe1-x/ZnS量子點(diǎn)增益型光電子器件. 

【文章來源】:光子學(xué)報(bào). 2017,46(09)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:8 頁(yè)

【文章目錄】:
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)材料與方法
    1.1 實(shí)驗(yàn)材料與制備
    1.2 測(cè)量
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
    2.1 量子點(diǎn)吸收譜和輻射譜
    2.2 吸收系數(shù)和吸收截面隨組份比例x的變化
    2.3 QDF對(duì)抽運(yùn)光的吸收
    2.4 PL峰值強(qiáng)度與QDF濃度及長(zhǎng)度關(guān)系
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]紫外膠基底中CdSe/ZnS量子點(diǎn)的吸收與色散非線性關(guān)系的確定[J]. 程成,翟詩(shī)滔.  光學(xué)學(xué)報(bào). 2014(06)
[2]較高摻雜濃度下CdSe/ZnS量子點(diǎn)光纖光致熒光光譜[J]. 程成,曾鳳,程瀟羽.  光學(xué)學(xué)報(bào). 2009(10)



本文編號(hào):3640563

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