膠體量子點(diǎn)（colloidal quantum dot,簡(jiǎn)稱QD）發(fā)光材料具有獨(dú)特的發(fā)光波長(zhǎng)尺寸依賴性、發(fā)光峰窄、色純度高、熒光量子產(chǎn)率高以及化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于光電領(lǐng)域。其中,量子點(diǎn)發(fā)光二極管（Quantum dot light-emitting diodes,簡(jiǎn)稱QLEDs）由于其具有優(yōu)異的光電性能,包括壽命長(zhǎng)、可溶液加工、生產(chǎn)成本低、柔性可彎曲、輕薄等特點(diǎn),成為一種適用于制備大面積、廣色域、超薄、柔性顯示的新型顯示材料。本論文以提高QLEDs器件性能為目標(biāo),重點(diǎn)研究QLEDs異質(zhì)結(jié)界面的載流子行為,在此基礎(chǔ)上通過(guò)采用界面修飾以及量子點(diǎn)原位配體修飾的方法,分別調(diào)節(jié)氧化鋅（zinc oxide,簡(jiǎn)稱ZnO）和QD的載流子傳輸過(guò)程,有效地調(diào)控ITO/ZnO及ZnO/QD界面的電子注入行為,制備了基于CdSe/ZnS和CdZnS/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的紅、綠、藍(lán)三基色高效、高色純度QLEDs。本論文主要研究以下兩方面內(nèi)容:針對(duì)倒裝結(jié)構(gòu)的寬帶隙藍(lán)光CdZnS/ZnS QLEDs中陰極電子注入困難以及ZnO表面缺陷影響光譜質(zhì)量的問(wèn)題,選取了一種水/醇溶性界面材料聚醚酰亞胺（Pol... 

【文章來(lái)源】：華南理工大學(xué)廣東省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：72 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)光電性質(zhì)
        1.2.1 量子限域效應(yīng)
        1.2.2 表面效應(yīng)
        1.2.3 量子點(diǎn)的發(fā)光機(jī)理與光學(xué)特性
    1.3 基于量子點(diǎn)的發(fā)光二極管器件及其發(fā)展現(xiàn)狀
        1.3.1 量子點(diǎn)發(fā)光二極管工作原理
        1.3.2 量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)
        1.3.3 量子點(diǎn)發(fā)光二極管的界面問(wèn)題
    1.4 本論文的主要研究?jī)?nèi)容與創(chuàng)新點(diǎn)
第二章 理論基礎(chǔ)及實(shí)驗(yàn)研究方法
    2.1 引言
    2.2 異質(zhì)結(jié)界面調(diào)控
        2.2.1 界面能級(jí)匹配
        2.2.2 界面調(diào)控方法
    2.3 主要實(shí)驗(yàn)儀器
    2.4 量子點(diǎn)發(fā)光二極管制備與測(cè)試
        2.4.1 量子點(diǎn)發(fā)光二極管制備工藝
        2.4.2 量子點(diǎn)發(fā)光二極管性能評(píng)價(jià)與測(cè)試方法
    2.5 常用表征技術(shù)
        2.5.1 開爾文探針
        2.5.2 原子力顯微鏡
        2.5.3 時(shí)間分辨熒光光譜
第三章 藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光二極管的性能改進(jìn)
    3.1 引言
        3.1.1 藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光二極管的研究現(xiàn)狀
        3.1.2 含脂肪胺基團(tuán)界面材料
    3.2 基于PEI陰極界面的倒裝藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光二極管制備與測(cè)試
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        3.2.2 制備工藝與測(cè)試方法
    3.3 基于PEI陰極界面的高效倒裝藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光二極管性能與分析
        3.3.1 QLED器件光電性能
        3.3.2 PEI修飾層對(duì)ZnO電子傳輸層光電性質(zhì)及形貌的影響研究
        3.3.3 ITO陰極界面及QD/ZnO界面的能級(jí)變化
        3.3.4 QD/ZnO界面的電荷轉(zhuǎn)移
    3.4 本章小結(jié)
第四章 基于醇胺類配體原位修飾的QD/ZnO界面調(diào)控方法及其在正裝QLEDs中的應(yīng)用研究
    4.1 引言
    4.2 基于醇胺類配體的原位修飾工藝及其在正裝QLEDs中的應(yīng)用
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        4.2.2 制備工藝與測(cè)試方法
    4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
        4.3.1 乙醇胺原位修飾對(duì)于QD薄膜光電特性的影響
        4.3.2 乙醇胺原位修飾對(duì)于ZnO薄膜形貌的影響
        4.3.3 正裝RGBQLED光電性能
        4.3.4 基于乙醇胺原位修飾的QD/ZnO界面調(diào)控機(jī)制與方法
    4.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果
致謝
附件


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Colloidal quantum-dots surface and device structure engineering for high-performance light-emitting diodes[J]. Yuequn Shang,Zhijun Ning.  National Science Review. 2017(02)



本文編號(hào)：3637511