由于晶格的反轉(zhuǎn)和隨之而來的極化場的反轉(zhuǎn),N極性面氮化物材料已經(jīng)成為微波功率器件應(yīng)用的理想材料之一。在2英寸（1英寸=2.54cm）偏角度4H-SiC襯底上通過金屬有機物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）的方法生長了N極性面GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)材料,使用X射線衍射儀（HR-XRD）、原子力顯微鏡（AFM）、Raman光譜儀和掃描電子顯微鏡（SEM）等對材料進行了表征。結(jié)果表明,N極性面GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)材料的二維電子氣面密度和遷移率分別為0.92×1013cm^-2和1035cm²/（V·s）。制備了N極性GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFET）。測試結(jié)果表明,1μm柵長的n極性面GaN/AlGa NHFET器件峰值跨導(dǎo)為88.9mS/mm,峰值電流為128mA/mm。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2016,41(02)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 Introduction
2 Experiments and Discussions
3 Conclusions



本文編號：3630089