由于晶格的反轉和隨之而來的極化場的反轉,N極性面氮化物材料已經(jīng)成為微波功率器件應用的理想材料之一。在2英寸（1英寸=2.54cm）偏角度4H-SiC襯底上通過金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）的方法生長了N極性面GaN/AlGaN異質結材料,使用X射線衍射儀（HR-XRD）、原子力顯微鏡（AFM）、Raman光譜儀和掃描電子顯微鏡（SEM）等對材料進行了表征。結果表明,N極性面GaN/AlGaN異質結材料的二維電子氣面密度和遷移率分別為0.92×1013cm^-2和1035cm²/（V·s）。制備了N極性GaN/AlGaN異質結場效應晶體管（HFET）。測試結果表明,1μm柵長的n極性面GaN/AlGa NHFET器件峰值跨導為88.9mS/mm,峰值電流為128mA/mm。 

【文章來源】：半導體技術. 2016,41(02)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 Introduction
2 Experiments and Discussions
3 Conclusions



本文編號：3630089