針對(duì)CMOS器件柵氧化層的早期失效問題,研究了化學(xué)氣相沉積（CVD）氧化層/熱氧化層的雙層復(fù)合柵結(jié)構(gòu)。對(duì)高溫氧化（HTO）層、等離子體增強(qiáng)正硅酸乙酯（PETEOS）和低壓正硅酸乙酯（LPTEOS）三種CVD氧化層進(jìn)行了對(duì)比,從中優(yōu)選HTO層作為復(fù)合柵的CVD氧化層,制備了一款專用集成電路（ASIC）,并使用⁶⁰Co源γ射線對(duì)其進(jìn)行3×10³ Gy（Si）總劑量輻照試驗(yàn)。結(jié)果表明,HTO/SiO₂復(fù)合柵能夠滿足電路的閾值電壓、功耗、延時(shí)等參數(shù)要求,并具有較好的抗總劑量輻射性能。由于SiO₂層和HTO層中缺陷線的錯(cuò)位排列,避免了復(fù)合柵從HTO上表面到SiO₂下表面的漏電通路,明顯減少了電路與柵氧化層相關(guān)的早期失效。HTO/SiO₂復(fù)合柵結(jié)構(gòu)對(duì)于小尺寸（亞微米）CMOS和特種工藝器件的柵氧化層可靠性和抗輻射性能的提升具有一定的借鑒價(jià)值。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020,45(08)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與分析
    2.1 柵介質(zhì)物理特性
    2.2 柵氧化層電學(xué)參數(shù)
    2.3 單器件參數(shù)
    2.4 老煉篩選
    2.5 輻照試驗(yàn)
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3629263