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InP基HBT小信號(hào)模型參數(shù)直接提取方法

發(fā)布時(shí)間:2022-02-16 11:07
  為了精確地表征器件特性,提出了一種直接提取T型異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)小信號(hào)模型參數(shù)的方法。該方法僅依賴于S參數(shù)測試數(shù)據(jù),采用精確的閉式方程式直接提取電路元件參數(shù)。該方法簡單、易于實(shí)施。首先使用開路短路測試結(jié)構(gòu)提取焊盤寄生電容和電感的值,然后用截止?fàn)顟B(tài)和Z參數(shù)的方法提取外部電阻,再去掉這些參數(shù)以簡化電路模型,本征部分的電路元件采用剝離算法來確定參數(shù)值。采用1μm×15μm的InP HBT對(duì)該算法的有效性進(jìn)行驗(yàn)證,結(jié)果表明,在0.1~40 GHz頻率范圍內(nèi),模型仿真結(jié)果準(zhǔn)確地?cái)M合了器件測試結(jié)果。 

【文章來源】:半導(dǎo)體技術(shù). 2020,45(08)北大核心

【文章頁數(shù)】:8 頁

【文章目錄】:
0 引言
1 小信號(hào)模型
2 參數(shù)提取
    2.1 寄生焊盤電容的提取
    2.2 寄生電感的提取
    2.3 寄生電阻的提取
    2.4 基極-集電極結(jié)外部電容的提取
    2.5 本征參數(shù)的提取
3 參數(shù)提取結(jié)果與分析
4 結(jié)論



本文編號(hào):3627855

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