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低相位噪聲、寬頻域CMOS集成壓控振蕩器設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2022-02-13 07:47
  隨著進(jìn)入信息化社會(huì),無(wú)線通信系統(tǒng)逐漸成為人們的關(guān)注焦點(diǎn),越來(lái)越受到人們的關(guān)注。電子通信技術(shù)發(fā)展到今天,集成化高、性能優(yōu)異、適用范圍廣、工作狀態(tài)穩(wěn)定已成為檢測(cè)電子產(chǎn)品是否優(yōu)秀的重要指標(biāo),而壓控振蕩器作為無(wú)線收發(fā)機(jī)的核心部件,對(duì)于壓控振蕩器的性能指標(biāo)要求日益嚴(yán)格。壓控振蕩器用于產(chǎn)生本振信號(hào),實(shí)現(xiàn)信號(hào)的信道選擇和頻譜搬移,廣泛應(yīng)用于無(wú)線終端通信,如無(wú)線電話、導(dǎo)航設(shè)備等產(chǎn)品中,其相位噪聲性能和調(diào)諧范圍直接決定了整個(gè)通信系統(tǒng)的性能優(yōu)劣與否。隨著CMOS工藝的不斷發(fā)展與射頻技術(shù)的提高,在芯片集成化的研究進(jìn)程中,人們逐漸實(shí)現(xiàn)了將壓控振蕩器和其余電路集成到同一個(gè)芯片上,但與此同時(shí),人們不得不面對(duì)基于CMOS工藝制作的集成電感品質(zhì)因素低,相位噪聲不理想,可變電容的非線性特性引起集成壓控振蕩器上鎖相環(huán)電路的不穩(wěn)定等現(xiàn)實(shí)問(wèn)題。故而設(shè)計(jì)一款低相位噪聲,寬調(diào)諧頻域的壓控振蕩器在今天具有十分重要的實(shí)用意義。本文開(kāi)篇介紹壓控振蕩器的重要作用及其發(fā)展歷程,然后對(duì)其基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行必要的介紹,在此基礎(chǔ)上對(duì)設(shè)計(jì)壓控振蕩器的一些關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)和性能進(jìn)行分析。本文在分析壓控振蕩器相位噪聲線性時(shí)不變模型和線性時(shí)變模型的基礎(chǔ)上,采用交... 

【文章來(lái)源】:湖南大學(xué)湖南省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】:61 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

低相位噪聲、寬頻域CMOS集成壓控振蕩器設(shè)計(jì)


收發(fā)機(jī)原理

環(huán)形振蕩器


產(chǎn)生本機(jī)振蕩信號(hào),它不需要外部激勵(lì)信號(hào),通過(guò)自身的電路就可轉(zhuǎn)換為特定頻率的信號(hào),從而為電路系統(tǒng)提供需要的振蕩信號(hào)。因器是一種能量轉(zhuǎn)換裝置。本章第一步簡(jiǎn)單介紹 VCO 的種類、分析紹壓控振蕩器的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)約束,最后介紹振蕩回路的核心 RLC 控振蕩器模型分類在普遍應(yīng)用的壓控振蕩器分為兩類,分別為環(huán)形振蕩器(Ring Osc以及電容電感壓控振蕩器(LC Tank Oscillator,LC VCO)[22]。環(huán)形2.1 所示,環(huán)形振蕩器利用單級(jí)放大器在工作時(shí)產(chǎn)生 180°相移的特性單機(jī)放大器級(jí)聯(lián)形成一個(gè)電路回路,從而成為一個(gè)振蕩器,環(huán)形振率受各個(gè)單級(jí)放大器的延時(shí)控制。環(huán)形振蕩器的優(yōu)點(diǎn)是易于集成,范圍實(shí)現(xiàn)調(diào)諧,但其缺點(diǎn)也很明顯,相位噪聲性能很差,所以在對(duì)越來(lái)越嚴(yán)苛的今天,環(huán)形振蕩器的應(yīng)用范圍便十分狹窄,經(jīng)常使用要求寬松的電路中,如時(shí)鐘產(chǎn)生電路。

負(fù)反饋系統(tǒng),雙端


圖 2.2 雙端負(fù)反饋系統(tǒng) H(s)為系統(tǒng)的開(kāi)環(huán)增益。在式(2.1)中,當(dāng) 1+H(s)為 0 時(shí),即-1 時(shí),系統(tǒng)的閉環(huán)增益為無(wú)窮大,此時(shí)只要電路有很小的輸入大,所以該反饋電路會(huì)把0 頻率處的噪聲放大無(wú)窮倍。這種現(xiàn)運(yùn)算放大器中是要避免的,但對(duì)于壓控振蕩器這卻是正常工作線性系統(tǒng)要產(chǎn)生震蕩所具備的條件為:(j)10H () 180 0H j 是著名的“巴克豪森判據(jù)”,式(2.2)規(guī)定了系統(tǒng)負(fù)反饋的開(kāi)環(huán)式(2.3)規(guī)定了系統(tǒng)負(fù)反饋的開(kāi)環(huán)相移為 180 度。在實(shí)際電路及工藝的影響,可能會(huì)導(dǎo)致滿足巴克豪森判據(jù)的系統(tǒng)無(wú)法起振常把環(huán)路增益提高到理論值的 2~3 倍。端能量補(bǔ)償系統(tǒng)

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[5]基于可調(diào)諧LC諧振回路的雙頻VCO[J]. 戚玉華,沈釗.  現(xiàn)代雷達(dá). 2017(08)
[6]A low power V-band LC VCO with high Q varactor technique in 40 nm CMOS process[J]. Qian ZHOU,Yan HAN,Shifeng ZHANG,Xiaoxia HAN,Lu JIE,Ray C.C.CHEUNG,Guangtao FENG.  Science China(Information Sciences). 2017(08)
[7]一種低功耗C類LC壓控振蕩器[J]. 王偉,查歡,林福江,刁盛錫.  微電子學(xué). 2017(01)
[8]20 GHz壓控振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J]. 曹衛(wèi)東,侯晨龍,郭金星,宋奕霖,王自強(qiáng),姜漢鈞,王志華.  微電子學(xué). 2015(05)
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博士論文
[1]電感電容壓控振蕩器[D]. 唐長(zhǎng)文.復(fù)旦大學(xué) 2004

碩士論文
[1]基于65nm CMOS工藝低能耗低噪聲LC振蕩器研究與設(shè)計(jì)[D]. 王偉.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2016
[2]低相位噪聲CMOS集成壓控振蕩器的設(shè)計(jì)[D]. 謝海明.湖南大學(xué) 2015
[3]低相噪高線性壓控振蕩器研究與實(shí)現(xiàn)[D]. 梁志強(qiáng).華南理工大學(xué) 2013
[4]基于CMOS工藝45GHz寬帶壓控振蕩器研究與設(shè)計(jì)[D]. 謝哲新.電子科技大學(xué) 2013
[5]寬帶CMOS壓控振蕩器研究及設(shè)計(jì)[D]. 曹旭.杭州電子科技大學(xué) 2013
[6]1.6GHz3.2GHz 0.18μm CMOS寬帶低噪聲壓控振蕩器設(shè)計(jì)[D]. 周功孩.華中科技大學(xué) 2013
[7]低相噪寬帶CMOS集成電感電容壓控振蕩器的分析與設(shè)計(jì)[D]. 張俊波.上海交通大學(xué) 2008
[8]高性能CMOS壓控振蕩器的設(shè)計(jì)[D]. 王文兵.安徽大學(xué) 2005



本文編號(hào):3622800

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