發(fā)布時(shí)間：2022-02-13 04:24

　　PbSe作為一種具有直接帶隙的窄禁帶半導(dǎo)體,在紅外探測(cè)方面具有重要價(jià)值。但是,PbSe薄膜的載流子遷移率偏低,其光電性能因載流子復(fù)合作用受到嚴(yán)重影響,雖然,可以通過(guò)敏化處理在一定程度上改善其光電性能,但仍然具有很大的局限性。近年來(lái),繼石墨烯之后,以MoSe₂為代表的二維硫族化合物半導(dǎo)體受到人們的普遍關(guān)注。雖然,MoSe₂和PbSe具有不同的晶體結(jié)構(gòu),且其晶格常數(shù)也存在較大差異,但由于MoSe₂的層間范德華力結(jié)合特點(diǎn),在MoSe₂表面有可能外延生長(zhǎng)出高質(zhì)量的PbSe薄膜,并研制基于PbSe/MoSe₂異質(zhì)結(jié)的光敏二極管,為PbSe薄膜的紅外探測(cè)應(yīng)用探索出新的技術(shù)路線,為此,本論文開展了以下研究工作:首先,本文采用分子束外延技術(shù)制備出了PbSe薄膜,采用X射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）以及X射線光電子能譜（XPS）對(duì)所生長(zhǎng)PbSe薄膜進(jìn)行了表征分析。表征結(jié)果顯示:所生長(zhǎng)薄膜為單一（100）取向,薄膜具有較高的結(jié)晶質(zhì)量。在此基礎(chǔ)上,論文進(jìn)一步研究了敏化處理對(duì)所生長(zhǎng)PbS... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：68 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

光電導(dǎo)探測(cè)器結(jié)構(gòu)圖

光伏探測(cè)器結(jié)構(gòu)圖

PbSe的晶體結(jié)構(gòu)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]紅外探測(cè)技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展[J]. 李意,雷志勇,李青松.  國(guó)外電子測(cè)量技術(shù). 2018(02)
[2]二硒化鉬合成與應(yīng)用的研究進(jìn)展[J]. 亓淑艷,劉小虎,陳明.  哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2016(01)
[3]同時(shí)模式的中波/長(zhǎng)波碲鎘汞雙色紅外探測(cè)器[J]. 葉振華,李楊,胡偉達(dá),陳路,廖親君,陳洪雷,林春,胡曉寧,丁瑞軍,何力.  紅外與毫米波學(xué)報(bào). 2012(06)
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碩士論文
[1]二硒化鉬薄膜材料的制備及性能研究[D]. 王領(lǐng)然.鄭州大學(xué) 2018
[2]PbS紅外探測(cè)器的制備和性能研究[D]. 李國(guó)偉.電子科技大學(xué) 2010



本文編號(hào)：3622674