目前已商品化的有機發(fā)光二極管（OLED）是由有機小分子真空蒸鍍技術實現(xiàn)的,其存在的問題是設備投資大、成品率低,不易實現(xiàn)大面積等。而聚合物發(fā)光二極管（PLED）則可以通過旋涂、噴墨打印等溶液加工方式實現(xiàn),具有制作成本低、易實現(xiàn)大面積制備等優(yōu)勢。但是PLED的壽命問題一直阻礙其商業(yè)應用的進展,其中水和氧氣引起的材料老化是影響器件壽命的一個重要因素。溶液加工的倒裝聚合物發(fā)光二極管（IPLED）采用金屬氧化物作為電子/空穴注入層,發(fā)光層置于二者之間,這樣的結構能夠有效地隔絕水份和氧氣對有機材料的損害。本論文的研究方向主要是基于倒裝聚合物發(fā)光二極管的性能和光譜調控。1、基于聚芴PF-SO10,制備了結構為ITO/ZnO/PEIE/PF-FSO10（100-700 nm）/MoO₃/Al的倒裝藍光器件。在倒裝的器件結構中,器件的最大電流效率隨著發(fā)光層厚度的增加出現(xiàn)先減小然后增加這樣的振蕩變化。發(fā)光顏色由天藍深藍天藍藍這樣振蕩的變化。發(fā)光層厚度為158 nm時,獲得最大電流效率和最大外量子效率分別為2.54 cd A^-1和3.83%的深藍光（0.15,0.... 

【文章來源】：華南理工大學廣東省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

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【學位級別】：博士

【部分圖文】：

倒裝發(fā)光器件發(fā)光機理示意圖

圖 1-2 器件結構及能級分布[37]屬氧化物的電子注入層，使器件性能得到了水平。究其原因是電子注入勢壘太大，空穴滅。因此必須得通過其它方法對倒裝發(fā)光器 n-type 金屬氧化物屬氧化物作為電子注入層所存在的不足，對途徑。通過界面修飾可以提高電子的注入能心偏離金屬氧化物界面，這能減少金屬氧iO2上引入含銫的混合物層，其中包含有Cs2C器件最高電流效率到達 7 cd A-1，而沒有對 [38]。通過單電子器件證明這種銫的混合物不

CO3對應的電流密度-電壓和亮度-電壓曲線如圖1-3所示。當Cs2CO3厚度為4nm時，器件取得最大電流效率為 8.0cdA-1。從圖中可以看出，當用 Cs2CO3修飾 ZnO 時，電流在 1V 左右出現(xiàn)了一個明顯的閾值電壓，當電壓超過 1V 時，電流出現(xiàn)急劇的增加，而純 ZnO 界面則沒有出現(xiàn)此種現(xiàn)象，這說明 Cs2CO3的存在起了很大的空穴阻擋作用。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]A novel crosslinkable electron injection/transporting material for solution processed polymer light-emitting diodes[J]. LIU ShengJian~1, ZHONG ChengMei~1, ZHANG Jie~1, DUAN ChunHui~1, WANG XiaoHui~2* & HUANG Fei~1*1State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices; Institute of Polymer Optoelectronic Materials & Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China 2State Key Laboratory of Pulp and Paper Engineering; South China University of Technology, Guangzhou 510640, China.  Science China（Chemistry）. 2011(11)



本文編號：3612618