量子點發(fā)光二極管（Quantum Dot Light-Emitting Diodes,QLED）憑借色純度高、材料穩(wěn)定性好、發(fā)光顏色隨量子點（Quantum Dots,QDs）尺寸連續(xù)可調(diào)、可溶液法加工等優(yōu)點,在照明和顯示領(lǐng)域具有十分廣闊的應(yīng)用前景�；谀壳暗奈墨I報道,QLED器件主要分為正置結(jié)構(gòu)和倒置結(jié)構(gòu)兩種類型。正置結(jié)構(gòu)器件多用于照明領(lǐng)域,而倒置結(jié)構(gòu)的QLED器件更易于與低成本的n型金屬氧化物或非晶硅薄膜晶體管集成,在顯示領(lǐng)域更加實用。倒置結(jié)構(gòu)的QLED器件在構(gòu)筑過程中主要采用真空熱蒸發(fā)法和全溶液法,相比于熱蒸發(fā)法構(gòu)筑的器件,全溶液法構(gòu)筑倒置結(jié)構(gòu)的QLED器件具有操作工藝簡單,價格低廉,可大面積制備等優(yōu)點。但全溶液法構(gòu)筑倒置結(jié)構(gòu)的QLED器件目前存在以下問題:（1）空穴傳輸層（HTL）溶劑對QDs發(fā)光層（EML）的溶解;（2）HTL/EML界面處空穴注入勢壘較高引起的載流子注入不平衡;（3）電子傳輸層（ETL）/EML界面處,氧化鋅納米顆粒（ZnO NPs）高密度的表面缺陷引起的激子猝滅,導(dǎo)致器件性能下降。本論文針對全溶液法倒置QLED器件中出現(xiàn)的上述問題,選用具有脂族胺基的界面聚... 

【文章來源】：河南大學(xué)河南省

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

(a)體相半導(dǎo)體(左)和由相同材料制成的量子點(右)的電子態(tài)，體相半導(dǎo)體的連續(xù)能帶轉(zhuǎn)變成量子點的離散能帶[7]

[29-31]。圖1-2 (a)頂發(fā)射器件；(b)底發(fā)射器件的示意圖1.1.3 量子點發(fā)光二極管的工作機制及性能參數(shù)LED、OLED 和 QLED 都屬于電致發(fā)光中的固態(tài)場效發(fā)光，當(dāng)電子被外部能量激發(fā)時，它們將從基態(tài)（價帶）躍遷到激發(fā)態(tài)（導(dǎo)帶），價帶中會留下空位，這種空位即為空穴[8,33]。此時，處于激發(fā)態(tài)的部分電子和空穴很容易形成激子（電子-空穴對），由于激發(fā)態(tài)的能量較高，當(dāng)電子從激發(fā)態(tài)以輻射的方式回歸到基態(tài)時，這個輻射就會以光的形式呈現(xiàn)，對量子點來說，激發(fā)態(tài)的能量位置即為導(dǎo)帶（CB），?

低點和價帶的最高點之間的能量差叫做能隙（E光的能量，進而決定光的頻率即顏色[31-38]。對 QL驅(qū)動下正向?qū)〞r，空穴由器件的陽極注入，通過同時，電子由器件的陰極注入，通過 ETL 注入 QDs EML 形成激子，激子通過輻射復(fù)合產(chǎn)生光。非輻射復(fù)合現(xiàn)象。在目前最流行的有機無機雜化 于空穴傳輸速度，這種載流子注入不平衡的現(xiàn)象射復(fù)合，從而在器件內(nèi)部產(chǎn)生大量熱量，影響器注入平衡對器件的光電性能有著至關(guān)重要的影響

【參考文獻】：
期刊論文
[1]Colloidal quantum-dots surface and device structure engineering for high-performance light-emitting diodes[J]. Yuequn Shang,Zhijun Ning.  National Science Review. 2017(02)



本文編號：3609145