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SN74LS00N芯片高電平輸出特性的理論與實驗研究

發(fā)布時間:2022-01-13 03:18
  本文通過對目前流行的四家SN74LS00N與非門集成電路芯片的高電平輸出特性(輸出電壓VOH與拉電流IOH的關(guān)系)的理論和實測研究,給出幾乎所有講解74LS00門電路的《數(shù)字電子技術(shù)》教材中忽略的和缺失的但確實應(yīng)該給出的真實輸出特性,同時還給出了擬合兩個關(guān)鍵的內(nèi)部電路參數(shù)的方法,這對廓清許多教師和電子工程師對輸出高電平最小電壓VOH(min)和最大電流IOH(max)的理解有幫助,并對該系列電子器件的實驗教學(xué)、相關(guān)電子工程設(shè)計,以及對該課教材的編寫、出版和教學(xué)起到積極的推動作用。 

【文章來源】:電子器件. 2020,43(03)北大核心

【文章頁數(shù)】:5 頁

【部分圖文】:

SN74LS00N芯片高電平輸出特性的理論與實驗研究


與非門74LS00的原理電路[11]

芯片,特性


四家SN74LS00N芯片

特性圖,特性,集成電路,非門


圖3給出了SN74LS00N(A. HLF)芯片的第1個與非門在兩個輸入端同時接地時的VOH-IOH特性的測試結(jié)果。為了保護(hù)集成電路,測量拉電流范圍確定原則是:既要VOH>VOH(min)=2.7 V,又要保證集成電路輸出部分內(nèi)部功耗P<20 mW。


本文編號:3585960

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