電子系統(tǒng)和子系統(tǒng)封裝的發(fā)展趨勢(shì)是不斷減小尺寸和提高性能,這種趨勢(shì)可以從半導(dǎo)體集成度越來(lái)越高和混合集成電路及多芯片模塊的使用越來(lái)越廣泛中看出。在較小的封裝體中放置更多的功能導(dǎo)致了更高的熱密度,因此要求在設(shè)計(jì)中優(yōu)先考慮熱管理以便維持系統(tǒng)的性能和可靠性。在此發(fā)展趨勢(shì)下,作者所在公司承接了許多混合集成電路和多芯片模塊的研制項(xiàng)目,由于具有高的封裝密度,對(duì)封裝的熱管理和熱設(shè)計(jì)提出了更高的要求。FH0189為作者所在公司經(jīng)典混合集成電路產(chǎn)品,在各領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。以FH0189為研究對(duì)象,研究其熱可靠性,不僅有利于提高該類產(chǎn)品的合格率,也有助于拓展新的封裝材料、封裝工藝、篩選試驗(yàn)和失效分析技術(shù)等的研究,為科研新品的熱設(shè)計(jì)和熱管理提供有價(jià)值的參考和技術(shù)方法。本論文對(duì)FH0189熱可靠性及封裝工藝改進(jìn)進(jìn)行研究。主要內(nèi)容及研究結(jié)果為:1.分析研究FH0189的電路原理、封裝材料和封裝結(jié)構(gòu),歸納微電子器件失效分析常用的技術(shù)和方法,為FH0189熱可靠性分析提供了一條可行的技術(shù)路線,即先后進(jìn)行電學(xué)測(cè)試、非破壞性分析和破壞性分析。2.研究FH0189熱失效的典型案例,通過(guò)電學(xué)測(cè)試的功能測(cè)試中發(fā)現(xiàn)器件在環(huán)境溫度1... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：86 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

FH0189的TO-3封裝互連圖

電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文6圖2-2FH0189電路框圖（1/2）電路共由六部分組成，分別是輸入級(jí)、中間級(jí)、熱檢測(cè)、過(guò)熱保護(hù)、偏置及限流保護(hù)、輸出級(jí)[4]。對(duì)應(yīng)于電路的組成是：（a）輸入級(jí)：由T1～T6、R1～R5、D1、I1～I(xiàn)4組成；（b）中間級(jí)：T9、T10、I5、I6、C組成；（c）熱檢測(cè)：T8、D2組成；（d）熱保護(hù)、偏置及限流保護(hù)：T11、T12、R6、I5組成；（e）輸出級(jí)：T13～T16、R6～R10組成。圖2-3FH0189電原理圖（1/2）各部分的工作原理簡(jiǎn)述如下：輸入級(jí)：T1～T4均采用FET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）結(jié)構(gòu)，信號(hào)從T4漏極跟隨輸出，完成了信號(hào)差分輸入和單端輸出的轉(zhuǎn)換，并且實(shí)現(xiàn)了第一級(jí)的電平位移。采用FET

電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文6圖2-2FH0189電路框圖（1/2）電路共由六部分組成，分別是輸入級(jí)、中間級(jí)、熱檢測(cè)、過(guò)熱保護(hù)、偏置及限流保護(hù)、輸出級(jí)[4]。對(duì)應(yīng)于電路的組成是：（a）輸入級(jí)：由T1～T6、R1～R5、D1、I1～I(xiàn)4組成；（b）中間級(jí)：T9、T10、I5、I6、C組成；（c）熱檢測(cè)：T8、D2組成；（d）熱保護(hù)、偏置及限流保護(hù)：T11、T12、R6、I5組成；（e）輸出級(jí)：T13～T16、R6～R10組成。圖2-3FH0189電原理圖（1/2）各部分的工作原理簡(jiǎn)述如下：輸入級(jí)：T1～T4均采用FET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）結(jié)構(gòu)，信號(hào)從T4漏極跟隨輸出，完成了信號(hào)差分輸入和單端輸出的轉(zhuǎn)換，并且實(shí)現(xiàn)了第一級(jí)的電平位移。采用FET

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]達(dá)林頓管瞬態(tài)熱阻測(cè)試方法的研究[J]. 曲曉文,王振民.  電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn). 2014(02)
[2]一種IGBT熱阻的測(cè)量方法[J]. 黃月強(qiáng),呂長(zhǎng)志,謝雪松,張小玲.  電力電子技術(shù). 2010(09)
[3]混合集成電路內(nèi)部多余物的控制研究[J]. 劉曉紅,常青松.  半導(dǎo)體技術(shù). 2008(07)
[4]顆粒碰撞噪聲檢測(cè)技術(shù)的應(yīng)用研究[J]. 張寧,常青.  四川兵工學(xué)報(bào). 2006(03)
[5]BGA封裝器件焊點(diǎn)缺陷X-射線檢測(cè)法[J]. 胡永芳,徐瑋,禹勝林,薛松柏.  電子工藝技術(shù). 2005(06)
[6]做好DPA保證可靠性[J]. 鄧永孝.  質(zhì)量與可靠性. 1999(01)
[7]熱阻的概念和測(cè)試方法[J]. 秦賢滿.  半導(dǎo)體技術(shù). 1996(03)

碩士論文
[1]基于結(jié)構(gòu)函數(shù)的IGBT芯片焊接質(zhì)量分析與研究[D]. 許煒.華南理工大學(xué) 2016
[2]IGBT器件熱可靠性的研究[D]. 董少華.山東大學(xué) 2014
[3]軍用集成電路典型失效模式分析與改進(jìn)措施研究[D]. 鮑秀峰.南京理工大學(xué) 2006



本文編號(hào)：3583996