半導體技術(shù)的不斷發(fā)展引領了人們的信息化進程,以III-V族GaN材料為代表的第三代半導體因其優(yōu)異的光電特性催生了人們的研究熱潮,并在大功率、高溫、高頻、高速和光電集成等方面已展現(xiàn)出應用優(yōu)勢。因此,進一步研究和發(fā)展GaN材料在電子、光電子等領域的應用被認為是占領光電信息領域的戰(zhàn)略制高點,也是第三代半導體材料與器件研究的關鍵。傳統(tǒng)GaN基電學器件的制備均是基于絕緣的Al₂O₃襯底,相比之下,Si基GaN電學器件在實現(xiàn)器件集成方面更具優(yōu)勢。然而,Si與GaN材料之間較大的晶格失配和熱失配嚴重限制了器件性能的提升。硅納米孔柱陣列（Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA）是一種具有特殊形貌結(jié)構(gòu)的多孔硅,在微/納米尺度上具有三重層次的結(jié)構(gòu)特征,其特殊的形貌結(jié)構(gòu)及物理化學特性使得其成為制備硅基功能性納米復合體系的理想襯底。本文中,我們以Si-NPA為功能性襯底,采用化學氣相沉積技術(shù)（CVD）制備GaN/Si-NPA納米異質(zhì)結(jié)構(gòu),系統(tǒng)調(diào)查了生長參數(shù)對GaN/Si-NPA形貌、結(jié)構(gòu)和光學特征的影響,研究了GaN/Si-NP... 

【文章來源】：鄭州大學河南省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：138 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

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圖 1.2 所示。在該工作中，La0.8Pb0.2FeO3粉體材料以聚乙烯醇為原膠凝膠方法制備，然后經(jīng)過快速燒結(jié)氧化，壓片成圓盤狀，在 940 min 獲得。然后，采用四探針法測試了其電阻率等電學參數(shù)，發(fā)現(xiàn)鈦礦結(jié)構(gòu)，空間群為 Pnma，平均晶粒尺寸為 250 nm，有效多孔率為b0.2FeO3樣品展現(xiàn)了 p 型半導體性質(zhì)，在溫度范圍 100-380°C 測試范好的甲醇氣敏探測特性與良好的選擇性。在 230°C 最佳測試溫度400 ppm 濃度的甲醇氣體響應值為 146.6。

圖 1.4 In2O3-SnO2復合納米纖維甲醇傳感器掃描電子顯微鏡結(jié)果顯示 In2O3-SnO2復合納米纖維的直徑大約為 6分布較為均勻，形貌較為規(guī)則。實驗發(fā)現(xiàn)，In2O3-SnO2復合納米纖維體具有良好的選擇性，隨著目標氣體濃度的增加，其響應度之間變大 ppm 甲醇氣體濃度下響應值達到 130。但是，該器件的響應和恢復速度，均超過了 20 s。典型的實驗結(jié)果如圖 1.4 所示。 紫外光探測器簡介.1 紫外光探測器的概述地球上的光源來自太陽，太陽光為地球上的動植物生存提供所需的能太陽光對地球表面的生物圈有著重要影響。在太陽光譜中，紫外光約占例雖然只有很小，但是它對地表生物有著很大的影響。紫外光的存在

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
[1]ⅢA族元素摻雜的硫化鎘/Si納米孔柱陣列的制備與光電特性研究[D]. 閆玲玲.鄭州大學 2015
[2]氮化鎵/硅納米孔柱陣列異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面調(diào)控及其電致發(fā)光特性研究[D]. 王小波.鄭州大學 2015
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本文編號：3582135