薄膜晶體管（TFT）是平板顯示領(lǐng)域核心的有源尋址器件。近年來(lái)金屬氧化物TFT由于其優(yōu)良的器件特性和低成本的生產(chǎn)工藝而受到極大關(guān)注,有望代替?zhèn)鹘y(tǒng)的非晶硅TFT和低溫多晶硅TFT,成為新一代背板技術(shù)。而有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（AMOLED）顯示由于其具有眾多的優(yōu)點(diǎn)如可自主發(fā)光,高響應(yīng)速度和可柔性彎曲等,是被譽(yù)為下一代可取代液晶顯示（LCD）的大尺寸、高分辨的顯示技術(shù)。金屬氧化物TFT應(yīng)用于AMOLED顯示更是成為產(chǎn)業(yè)界的熱點(diǎn)。金屬氧化物TFT因其優(yōu)良的器件特性,不僅可以作為像素的驅(qū)動(dòng)單元,還可以用來(lái)集成外圍驅(qū)動(dòng)電路,特別用來(lái)集成行驅(qū)動(dòng)電路。用金屬氧化物TFT集成行驅(qū)動(dòng)電路不僅可滿(mǎn)足AMOLED日趨復(fù)雜的像素補(bǔ)償電路的驅(qū)動(dòng)要求,而且還有眾多優(yōu)點(diǎn)如簡(jiǎn)化模組工藝,降低芯片成本及實(shí)現(xiàn)顯示器的窄邊框等。本文主要對(duì)應(yīng)用于AMOLED顯示的金屬氧化物TFT的行集成驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行研究與設(shè)計(jì)。首先對(duì)實(shí)際測(cè)出的金屬氧化物TFT特性曲線(xiàn)進(jìn)行模型擬合,為后續(xù)對(duì)金屬氧化物TFT的行集成驅(qū)動(dòng)電路的原理驗(yàn)證提供精確的仿真模型。然后設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于AMOLED顯示的高穩(wěn)定性的金屬氧化物TFT行集成驅(qū)動(dòng)電路,先對(duì)該電路進(jìn)行原... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

TFT器件結(jié)構(gòu)

a） b）圖 1-2 N 型 TFT a）轉(zhuǎn)移特性 b）輸出特性Fig 1-2 N type TFT a) The transfer characteristic b) The output characteristic圖 1-2 a）為 TFT 的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)，可以看出 TFT 柵極可以控制流過(guò)管子電流的大，因此利用柵極電壓的大小可以很好地控制 TFT 的開(kāi)與關(guān)。圖 1-2 b)為輸出特性曲線(xiàn)，要包括三個(gè)工作區(qū)：（1）截止區(qū)。TFT 的柵源電壓使管子關(guān)斷，使流過(guò)管子的電流非小，管子處于截止?fàn)顟B(tài)；（2）線(xiàn)性區(qū)。當(dāng) VDS﹤﹤VGS，流過(guò)管子的漏電流隨源漏電壓線(xiàn)增加，TFT 的溝道電阻不變，其溝道電阻與管子的柵源電壓無(wú)關(guān)；（3）飽和區(qū)。當(dāng) VDS﹥VGS，溝道中流過(guò)的電流保持恒流狀態(tài)，其漏電流只與 TFT 的柵源電壓有關(guān)[6]。根據(jù)形成 TFT 溝道有源層材料的不同，主要分為氫化非晶硅（Hydrogenatedmorphous silicon，H: a-Si）TFT，低溫多晶硅（Low Temperature Poly-Silicon, LTPS）TFT金屬氧化物（Metal Oxide）TFT[1-6]。另外，還有一種以有機(jī)物（Organic）半導(dǎo)體材為有源層的 TFT 近年來(lái)也引起了一定的關(guān)注，有機(jī) TFT 的材料來(lái)源多，可采用溶液

圖 1-3 2T1C 電路原理圖Fig 1-3 Schematic of 2T1C circuit，T1 為開(kāi)關(guān)管而 T2 為驅(qū)動(dòng)管，工作過(guò)程包括 Vdata 會(huì)將像素所需要的灰階電壓信號(hào)通過(guò) T1，T2 的柵極電壓被存儲(chǔ)電容 Cs 存儲(chǔ)，在整一個(gè)因此 OLED 亮度不變，其中流過(guò) OLED 的電流2n222()()21OLEDoxGSthVVLWI μ C （1-1） μn，W/L，Cox和 Vth2分別是驅(qū)動(dòng)管 T2 的載流電容，柵源電容和閾值電壓。從公式 1-1 可以值電壓 Vth2的影響。在非晶硅中，TFT 的閾值移，而在低溫多晶硅中，TFT 的閾值電壓會(huì)在化物中，TFT 隨著工作時(shí)間的增長(zhǎng)（特別是在

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]氧化物薄膜晶體管研究[D]. 徐華.華南理工大學(xué) 2014
[2]新型金屬氧化物薄膜晶體管的性能研究及工藝開(kāi)發(fā)[D]. 羅東向.華南理工大學(xué) 2014
[3]金屬氧化物薄膜晶體管器件的穩(wěn)定性研究[D]. 李民.華南理工大學(xué) 2014
[4]薄膜晶體管及其在有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管中的應(yīng)用[D]. 蘭林鋒.華南理工大學(xué) 2010

碩士論文
[1]OLED像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)[D]. 周雷.華南理工大學(xué) 2013
[2]面向AMOLED應(yīng)用的氧化鋅基TFT集成電路研究[D]. 張立榮.華南理工大學(xué) 2012



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