發(fā)布時間：2021-12-29 19:26

　　串聯(lián)絕緣柵雙極型晶體管（insulate gate bipolar transistor,IGBT）關(guān)斷期間的電壓均衡是保證其安全穩(wěn)定工作的關(guān)鍵。該文在多級鉗位均壓方式的基礎(chǔ)上,提出一種同時作用于負載側(cè)與門極側(cè)的IGBT串聯(lián)均壓電路,該均壓電路通過對先關(guān)斷的IGBT電壓上升斜率的抑制來實現(xiàn)保護與均壓的功能。同時,利用靜態(tài)均壓電路與狀態(tài)反饋電路相結(jié)合的方式,依據(jù)關(guān)斷瞬態(tài)各IGBT承壓實時調(diào)整驅(qū)動信號發(fā)出時刻,從控制級削弱不均壓因素的影響。該文在給出均壓電路拓撲的同時,分析其工作原理及設(shè)計方法,實驗結(jié)果證明,依據(jù)該方法設(shè)計的均壓電路能在不影響關(guān)斷速度的前提下有效提高串聯(lián)IGBT間電壓的一致性。 

【文章來源】：中國電機工程學(xué)報. 2020,40(13)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：14 頁

【部分圖文】：

圖6串聯(lián)IGBT實驗平臺Fig.6Testplatformforseries-connectedIGBTsIGBT(電路板下方)

無均壓電路時串聯(lián)IGBT關(guān)斷電壓波形Fig.7Turn-offVCEresponseofseries-connectedIGBTst(5s/格)

應(yīng)用RCD均壓電路t(5s/格)

【參考文獻】：
期刊論文
[1]IGBT集電極電壓高精度測量方法研究[J]. 胡亮燈,趙治華,孫馳,任強.  電機與控制學(xué)報. 2018(06)
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[3]一種適用于固態(tài)直流斷路器的IGBT串聯(lián)均壓電路[J]. 張帆,楊旭,任宇,陳穎,茍銳鋒.  中國電機工程學(xué)報. 2016(03)



本文編號：3556737