發(fā)布時(shí)間：2021-12-28 16:46

　　本文重點(diǎn)研究了一種軸向取代酞菁材料:酞菁鈦二氯（Ti Cl2Pc）,在已報(bào)道的文獻(xiàn)中未見其應(yīng)用于TFT器件,因此本文將Ti Cl2Pc作為有源層材料應(yīng)用到有機(jī)薄膜晶體管器件的制備當(dāng)中。同時(shí)針對在制備Ti Cl2Pc OTFT時(shí)存在的有源層與絕緣層界面缺陷多而導(dǎo)致晶體管遷移率下降的問題,通過對有源層與絕緣層的界面進(jìn)行有機(jī)硅烷試劑修飾和弱外延生長的方法來改善有機(jī)薄膜的生長行為,進(jìn)而提高有機(jī)薄膜的質(zhì)量以及OTFT器件的電學(xué)性能。首先研究了有機(jī)硅烷試劑修飾對Ti Cl2Pc OTFT器件性能與薄膜形貌的影響:采用十八烷基三氯硅烷（OTS）試劑對Si O2絕緣層表面進(jìn)行了修飾,對修飾后的Ti Cl2Pc OTFT與未被修飾的Ti Cl2Pc OTFT進(jìn)行了I-V特性測試以及原子力形貌表征測試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明經(jīng)OTS修飾后的Ti Cl2Pc OTFT器件性能明顯提升。并且經(jīng)OTS修飾后的Ti Cl2Pc薄膜與未經(jīng)修飾的Ti Cl2Pc薄膜相比,薄膜表面更為平整連續(xù),表面缺陷更少,晶粒尺寸更大,更有利于載流子的產(chǎn)生與傳輸。其次研究了弱外延生長對Ti Cl2Pc OTFT器件性能與薄膜形貌的影響:采用有... 

【文章來源】：長春理工大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1雙層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的雙極型OTFT結(jié)構(gòu)示意圖

酞菁的分子結(jié)構(gòu)：a)無金屬酞菁b)金屬酞菁

弱外延生長示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[3]基于有機(jī)薄膜晶體管與有機(jī)電化學(xué)晶體管的生物傳感器研究進(jìn)展[J]. 馮曉倩,顧文,張霞,蔣浩.  材料導(dǎo)報(bào). 2019(07)
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碩士論文
[1]基于有機(jī)薄膜晶體管的射頻識別標(biāo)簽電路[D]. 宮玉昕.山東大學(xué) 2019
[2]基于Pentacene的薄膜晶體管的制備及其性能研究[D]. 匡鵬.電子科技大學(xué) 2018



本文編號：3554393