為了提高高溫下聲表面?zhèn)鞲衅鲗?dǎo)電穩(wěn)定性,采用激光分子束外延方（L-MBE）法沉積制備Pt/ZnMgO/Si₂O₃三層薄膜,通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試的方式研究Si₂O₃粒徑對(duì)其導(dǎo)電性能和結(jié)構(gòu)的影響,重點(diǎn)研究了薄膜受到高溫作用時(shí)發(fā)生的導(dǎo)電性變化及其微觀組織結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變。研究結(jié)果表明:不同Si₂O₃粒徑下Pt/ZnMgO/Si₂O₃三層薄膜電阻表現(xiàn)為和溫度相近的變化規(guī)律,當(dāng)溫度上升后都發(fā)生了緩慢增大。當(dāng)薄膜表面Si₂O₃粒徑為60μm時(shí),電阻發(fā)生明顯變化的溫度依次為1100℃與1150℃。粒徑達(dá)到90μm以上的薄膜經(jīng)過(guò)保溫后電阻保持基本恒定。對(duì)200μm粒徑Si₂O₃膜薄膜進(jìn)行熱處理形成了平整表面,生成了許多小尺寸晶粒。隨著Si₂O₃粒徑降低,表面區(qū)域產(chǎn)生了更大外徑尺寸的Pt顆粒,形成了部分Pt微孔。提高... 

【文章來(lái)源】：真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2020,40(09)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 導(dǎo)電性能分析
    2.2 1000℃+2 h退火后三層薄膜微觀組織分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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