為了提高高溫下聲表面?zhèn)鞲衅鲗щ姺�(wěn)定性,采用激光分子束外延方（L-MBE）法沉積制備Pt/ZnMgO/Si₂O₃三層薄膜,通過實驗測試的方式研究Si₂O₃粒徑對其導電性能和結構的影響,重點研究了薄膜受到高溫作用時發(fā)生的導電性變化及其微觀組織結構的轉變。研究結果表明:不同Si₂O₃粒徑下Pt/ZnMgO/Si₂O₃三層薄膜電阻表現(xiàn)為和溫度相近的變化規(guī)律,當溫度上升后都發(fā)生了緩慢增大。當薄膜表面Si₂O₃粒徑為60μm時,電阻發(fā)生明顯變化的溫度依次為1100℃與1150℃。粒徑達到90μm以上的薄膜經(jīng)過保溫后電阻保持基本恒定。對200μm粒徑Si₂O₃膜薄膜進行熱處理形成了平整表面,生成了許多小尺寸晶粒。隨著Si₂O₃粒徑降低,表面區(qū)域產(chǎn)生了更大外徑尺寸的Pt顆粒,形成了部分Pt微孔。提高... 

【文章來源】：真空科學與技術學報. 2020,40(09)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 實驗方法
2 結果與討論
    2.1 導電性能分析
    2.2 1000℃+2 h退火后三層薄膜微觀組織分析
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3553236