新型PoP封裝存儲器的破壞性物理分析方法
發(fā)布時間:2021-12-17 13:21
新型封裝堆疊(PoP)封裝存儲器的結構與常規(guī)封裝不同,導致現(xiàn)行破壞性物理分析方法不完全適用于新型PoP存儲器。對新型PoP存儲器結構分析,找出了影響新型PoP封裝存儲器可靠性的典型缺陷。以某型號PoP封裝存儲器為例,運用3D-X-ray、金相切片、疊層芯片分離、非頂層芯片內部檢查等關鍵技術,提出了一套適用性強、效率高的綜合性破壞性物理分析方案,并通過實例驗證了新型PoP封裝存儲器可靠性評估方法的有效性,同時也為后續(xù)標準的修訂及其他先進封裝器件的破壞性物理分析提供依據(jù)和幫助。
【文章來源】:太赫茲科學與電子信息學報. 2020,18(05)北大核心
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
樣品內部結構3D-X-ray整體典型形貌;(b)樣品內部結構側面典型形貌
引線框架表面鍍層各層厚度;(b)引線框架局部放大典型形貌
新型PoP封裝存儲器的內部結構示意圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]振動載荷下三維封裝的失效行為和疲勞特性分析[J]. 夏江,黃林軼,劉群興,彭琦,徐華偉,韋勝鈺. 半導體技術. 2018(02)
[2]倒裝芯片組裝集成電路開封方法[J]. 周帥,鄭大勇,王斌. 太赫茲科學與電子信息學報. 2017(02)
[3]3D疊層封裝集成電路的芯片分離技術[J]. 林曉玲,梁朝輝,溫祺俊. 電子產品可靠性與環(huán)境試驗. 2016(02)
[4]堆疊封裝技術進展[J]. 鄧仕陽,劉俐,楊珊,王曳舟,方宣偉,夏衛(wèi)生,吳豐順,方文磊,付紅志. 半導體技術. 2012(05)
[5]濕熱對PoP封裝可靠性影響的研究[J]. 劉海龍,楊少華,李國元. 半導體技術. 2010(11)
本文編號:3540208
【文章來源】:太赫茲科學與電子信息學報. 2020,18(05)北大核心
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
樣品內部結構3D-X-ray整體典型形貌;(b)樣品內部結構側面典型形貌
引線框架表面鍍層各層厚度;(b)引線框架局部放大典型形貌
新型PoP封裝存儲器的內部結構示意圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]振動載荷下三維封裝的失效行為和疲勞特性分析[J]. 夏江,黃林軼,劉群興,彭琦,徐華偉,韋勝鈺. 半導體技術. 2018(02)
[2]倒裝芯片組裝集成電路開封方法[J]. 周帥,鄭大勇,王斌. 太赫茲科學與電子信息學報. 2017(02)
[3]3D疊層封裝集成電路的芯片分離技術[J]. 林曉玲,梁朝輝,溫祺俊. 電子產品可靠性與環(huán)境試驗. 2016(02)
[4]堆疊封裝技術進展[J]. 鄧仕陽,劉俐,楊珊,王曳舟,方宣偉,夏衛(wèi)生,吳豐順,方文磊,付紅志. 半導體技術. 2012(05)
[5]濕熱對PoP封裝可靠性影響的研究[J]. 劉海龍,楊少華,李國元. 半導體技術. 2010(11)
本文編號:3540208
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