新型封裝堆疊（PoP）封裝存儲器的結(jié)構與常規(guī)封裝不同,導致現(xiàn)行破壞性物理分析方法不完全適用于新型PoP存儲器。對新型PoP存儲器結(jié)構分析,找出了影響新型PoP封裝存儲器可靠性的典型缺陷。以某型號PoP封裝存儲器為例,運用3D-X-ray、金相切片、疊層芯片分離、非頂層芯片內(nèi)部檢查等關鍵技術,提出了一套適用性強、效率高的綜合性破壞性物理分析方案,并通過實例驗證了新型PoP封裝存儲器可靠性評估方法的有效性,同時也為后續(xù)標準的修訂及其他先進封裝器件的破壞性物理分析提供依據(jù)和幫助。 

【文章來源】：太赫茲科學與電子信息學報. 2020,18(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

樣品內(nèi)部結(jié)構3D-X-ray整體典型形貌；(b)樣品內(nèi)部結(jié)構側(cè)面典型形貌

引線框架表面鍍層各層厚度；(b)引線框架局部放大典型形貌

新型PoP封裝存儲器的內(nèi)部結(jié)構示意圖

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3540208