Al Ga N/Ga N界面處的二維電子氣遷移率是描述高電子遷移率晶體管特性的一個重要參數(shù),極化光學聲子散射是高溫時限制二維電子氣遷移率的主要散射機制.本文對極化光學聲子散射進行計算,結(jié)果表明在二維電子氣濃度為6×10¹¹—1×10¹³ cm^–2,溫度為200—400 K范圍內(nèi),極化光學聲子散射因素決定的遷移率隨溫度的變化近似為μPO=AT-α（α=3.5）;由于Ga N中光學聲子能量較大,吸收聲子對遷移率的影響遠大于發(fā)射聲子的影響.進一步討論了極化光學聲子散射因素決定的遷移率隨光學聲子能量變化的趨勢,表明增加極化光學聲子能量可提高二維電子氣的室溫遷移率. 

【文章來源】：物理學報. 2020,69(15)北大核心EISCICSCD

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【參考文獻】：
期刊論文
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