Al Ga N/Ga N界面處的二維電子氣遷移率是描述高電子遷移率晶體管特性的一個(gè)重要參數(shù),極化光學(xué)聲子散射是高溫時(shí)限制二維電子氣遷移率的主要散射機(jī)制.本文對極化光學(xué)聲子散射進(jìn)行計(jì)算,結(jié)果表明在二維電子氣濃度為6×10¹¹—1×10¹³ cm^–2,溫度為200—400 K范圍內(nèi),極化光學(xué)聲子散射因素決定的遷移率隨溫度的變化近似為μPO=AT-α（α=3.5）;由于Ga N中光學(xué)聲子能量較大,吸收聲子對遷移率的影響遠(yuǎn)大于發(fā)射聲子的影響.進(jìn)一步討論了極化光學(xué)聲子散射因素決定的遷移率隨光學(xué)聲子能量變化的趨勢,表明增加極化光學(xué)聲子能量可提高二維電子氣的室溫遷移率. 

【文章來源】：物理學(xué)報(bào). 2020,69(15)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]AlN插入層對AlxGa1-xN/GaN界面電子散射的影響[J]. 楊鵬,呂燕伍,王鑫波.  物理學(xué)報(bào). 2015(19)
[2]纖鋅礦AlGaN/AlN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中光學(xué)聲子散射影響的電子遷移率[J]. 楊福軍,班士良.  物理學(xué)報(bào). 2012(08)
[3]變Al組分AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)中的二維電子氣遷移率[J]. 張金風(fēng),郝躍,張進(jìn)城,倪金玉.  中國科學(xué)（E輯:信息科學(xué)）. 2008(06)



本文編號：3538554