應(yīng)用了目前最先進(jìn)電子科學(xué)技術(shù)與信息科學(xué)技術(shù)的有源相控陣?yán)走_(dá)在我國的經(jīng)濟(jì)發(fā)展以及國防建設(shè)中有著廣泛的應(yīng)用。而作為有源相控陣?yán)走_(dá)“心臟”的T/R組件經(jīng)過混合微波集成電路以及單片微波集成電路兩個(gè)階段目前已經(jīng)發(fā)展到全單片階段,更小體積以及更小耗能大大降低了成本并且提高了性能,但是更小的體積以及更加復(fù)雜的結(jié)構(gòu)使得T/R組件抗高功率微波干擾的能力大大降低。高功率微波技術(shù)的進(jìn)步使得許多新興的電子武器被提出,這使得相控陣?yán)走_(dá)電子系統(tǒng)面對(duì)更加復(fù)雜的電磁環(huán)境。高功率微波能夠進(jìn)入電子系統(tǒng)并與之發(fā)生作用對(duì)電子系統(tǒng)或器件的性能造成影響。因此本文的主要目的在于研究高功率微波對(duì)相控陣?yán)走_(dá)T/R組件的非線性效應(yīng),探索高功率微波對(duì)相控陣?yán)走_(dá)T/R組件的效應(yīng)機(jī)理,獲得效應(yīng)閾值。本文主要首先對(duì)有源相控陣?yán)走_(dá)T/R組件以及高功率微波非線性效應(yīng)進(jìn)行理論研究。在理論研究中,明確了T/R組件的技術(shù)要點(diǎn)與技術(shù)指標(biāo),并對(duì)T/R組件中的放大器以及移相器的原理以及技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行深入研究,對(duì)高功率微波的非線性壓縮效應(yīng)以及非線性損傷效應(yīng)的效應(yīng)原理進(jìn)行研究。在理論研究的基礎(chǔ)上采用注入實(shí)驗(yàn)的方法,對(duì)Ka波段相控陣?yán)走_(dá)T/R組件收發(fā)放大芯片以及幅相控...

【文章來源】： 電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 相控陣?yán)走_(dá)的背景及意義
    1.2 相控陣?yán)走_(dá)T/R組件
        1.2.1 T/R組件在有源相控陣?yán)走_(dá)中的作用
        1.2.2 T/R組件的發(fā)展概況
    1.3 高功率微波效應(yīng)
        1.3.1 高功率微波武器及其特點(diǎn)
        1.3.2 高功率效應(yīng)及其作用對(duì)象
        1.3.3 高功率微波效應(yīng)的研究方法
        1.3.4 高功率微波效應(yīng)的研究現(xiàn)狀
    1.4 學(xué)位論文研究簡述
第二章 相控陣?yán)走_(dá)T/R組件的原理
    2.1 T/R組件的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
        2.1.1 T/R組件的組成
        2.1.2 T/R組件的工作原理
    2.2 T/R組件的技術(shù)要求與技術(shù)指標(biāo)
        2.2.1 T/R組件的技術(shù)要求
        2.2.2 T/R組件的技術(shù)指標(biāo)
    2.3 放大器的理論基礎(chǔ)與技術(shù)指標(biāo)
        2.3.1 噪聲系數(shù)
        2.3.2 功率增益
        2.3.3 動(dòng)態(tài)范圍
    2.4 移相器的理論與技術(shù)指標(biāo)
        2.4.1 移相器的分類
        2.4.2 移相器的主要技術(shù)指標(biāo)
    2.5 小結(jié)
第三章 Ka波段T/R組件的HPM壓縮效應(yīng)研究
    3.1 HPM線性效應(yīng)與非線性效應(yīng)
    3.2 非線性壓縮效應(yīng)的原理
    3.3 Ka波段相控陣?yán)走_(dá)T/R組件的非線性壓縮效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究
        3.3.1 芯片的選型與測試夾具的加工
        3.3.2 實(shí)驗(yàn)原理與平臺(tái)搭建
        3.3.3 實(shí)驗(yàn)的過程以及結(jié)果分析
    3.4 小結(jié)
第四章 Ka波段相控陣?yán)走_(dá)T/R組件的HPM損傷效應(yīng)研究
    4.1 研究內(nèi)容與測試指標(biāo)
    4.2 芯片的選型與測試平臺(tái)的搭建
        4.2.1 芯片的選型
        4.2.2 測試平臺(tái)的搭建
    4.3 收發(fā)放大多功能芯片和幅相控制芯片的大功率脈沖測試
        4.3.1 檢波器與衰減器的標(biāo)定
        4.3.2 收發(fā)放大多功能芯片大功率脈沖測試
        4.3.3 幅相控制芯片的大功率脈沖測試
    4.4 Ka波段相控陣?yán)走_(dá)T/R組件關(guān)鍵芯片的損傷機(jī)理研究
    4.5 小結(jié)
第五章 總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]MMIC在T/R組件中的應(yīng)用 [J]. 劉秀博,吳洪江.  半導(dǎo)體技術(shù). 2015(11)
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[3]相控陣?yán)走_(dá)機(jī)電一體化與機(jī)電耦合 [J]. 束咸榮,何炳發(fā),郭先松.  電子機(jī)械工程. 2008(06)
[4]電磁脈沖對(duì)GaAs LNA損傷及其分析 [J]. 李用兵,王海龍.  半導(dǎo)體技術(shù). 2008(10)
[5]有源相控陣?yán)走_(dá)技術(shù)發(fā)展趨勢 [J]. 蔣慶全.  國防技術(shù)基礎(chǔ). 2005(04)
[6]固態(tài)有源相控陣?yán)走_(dá)的成本控制 [J]. 周燕.  現(xiàn)代雷達(dá). 2003(08)
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博士論文
[1]硅基微波/毫米波相控陣收發(fā)芯片設(shè)計(jì)[D]. 劉超.電子科技大學(xué). 2016
[2]應(yīng)用于相控陣收發(fā)組件的射頻/微波集成電路設(shè)計(jì)[D]. 楊小峰.西安電子科技大學(xué). 2014
[3]半導(dǎo)體器件的電磁損傷效應(yīng)與機(jī)理研究[D]. 任興榮.西安電子科技大學(xué). 2014

碩士論文
[1]集成器件的高功率微波效應(yīng)研究與相應(yīng)防護(hù)[D]. 陳權(quán).西安電子科技大學(xué). 2013
[2]數(shù)字T/R組件收發(fā)前端的設(shè)計(jì)與研究[D]. 江姍姍.南京理工大學(xué). 2012
[3]毫米波收發(fā)組件研究[D]. 黃銘.電子科技大學(xué). 2008



本文編號(hào)：3538169