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基于ZnMgO/ZnO的紫外波段DFB半導(dǎo)體激光器的仿真分析

發(fā)布時間:2021-11-26 18:48
  根據(jù)TMM(傳輸矩陣?yán)碚摚?對采用ZnMgO/ZnO為工作物質(zhì)的紫外波段DFB(分布反饋)半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計與仿真。當(dāng)占空比為0.5,光柵周期為92.5nm,光柵高度為65nm時,得到了364.8nm出射波長。通過改變有源層的厚度,分析了不同有源層厚度時激光器閾值電流與輸出功率的關(guān)系。仿真結(jié)果表明,有源層太厚會減弱對載流子的限制作用,使閾值電流增大;而有源層太薄時,波導(dǎo)層對光子的限制效果減弱,導(dǎo)致?lián)p耗增大,功率下降,閾值電流增大。所以合理選取有源層厚度可改善DFB激光器的電流功率特性。 

【文章來源】:光通信研究. 2017,(01)北大核心

【文章頁數(shù)】:4 頁

【部分圖文】:

基于ZnMgO/ZnO的紫外波段DFB半導(dǎo)體激光器的仿真分析


圖2工作電流未達(dá)到閾值時的出射光譜仿真圖

有源層厚度,仿真圖,功率,電流


的出射光譜仿真圖圖3工作電流達(dá)到閾值時的出射光譜仿真圖圖4所示為功率-電流-電壓(P-I-V)仿真曲線圖,由圖可知,其閾值電流約為40mA,輸出功率為65mW,工作電壓約為4.2V。工作電壓V的大小與工作物質(zhì)的禁帶寬度Eg有關(guān),其關(guān)系為V≥Eg/e=1.24/λ,(6)式中,λ為帶隙波長。所以一般情況下,對于使用寬帶隙材料的短波段半導(dǎo)體激光器,工作電壓偏大。圖4功率-電流-電壓(P-I-V)的仿真曲線圖5所示為改變有源層厚度時對應(yīng)的功率-電流仿真圖。有源層厚度h。保埃埃睿砼c。保担埃睿硐啾龋撝惦娏鲝模矗埃恚猎龃笾粒矗矗恚,功率為64.6mW略有下降。而當(dāng)有源層厚度分別。福啊ⅲ罚昂停叮埃睿頃r,閾值電流增大到50mA,對應(yīng)的輸出功率逐漸降低至13.6mW。當(dāng)有源層太厚時,限制層對載流子的限制能力被減弱,致使閾值電流變大。隨著有源層厚度的減小,限制層對載流子限制作用變大,載流子密度變高,但有源層厚度過小時,光場會滲透到限制層中,波導(dǎo)層對光子的限制作用減弱,損耗增大,導(dǎo)致閾值電流增大,功率減校圖5改變有源層厚度h時相應(yīng)的功率-電流(P-I)仿真圖選取不同的光柵周期可以改變DFB激光器的發(fā)射波長,如圖6所示。由布拉格公式可知,光柵周期與發(fā)射波長呈線性關(guān)系,選取的波長越靠近材料增益峰值時,激射波長幅值越大,通過將不同波長的DFB激光器集成在一塊芯片上可做成激光器陣列。圖6改變光柵周期與相應(yīng)出射光譜仿真圖(下轉(zhuǎn)第60頁)362017年第1期

光柵周期,出射光,仿真圖,有源層厚度


層厚度分別取80、70和60nm時,閾值電流增大到50mA,對應(yīng)的輸出功率逐漸降低至13.6mW。當(dāng)有源層太厚時,限制層對載流子的限制能力被減弱,致使閾值電流變大。隨著有源層厚度的減小,限制層對載流子限制作用變大,載流子密度變高,但有源層厚度過小時,光場會滲透到限制層中,波導(dǎo)層對光子的限制作用減弱,損耗增大,導(dǎo)致閾值電流增大,功率減校圖5改變有源層厚度h時相應(yīng)的功率-電流(P-I)仿真圖選取不同的光柵周期可以改變DFB激光器的發(fā)射波長,如圖6所示。由布拉格公式可知,光柵周期與發(fā)射波長呈線性關(guān)系,選取的波長越靠近材料增益峰值時,激射波長幅值越大,通過將不同波長的DFB激光器集成在一塊芯片上可做成激光器陣列。圖6改變光柵周期與相應(yīng)出射光譜仿真圖(下轉(zhuǎn)第60頁)362017年第1期總第199期光通信研究STUDYONOPTICALCOMMUNICATIONS2017.02(Sum.No.199)

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號:3520726

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