發(fā)布時間：2021-11-14 15:30

　　采用原子層淀積（ALD）方法,制備了Al₂O₃為柵介質(zhì)的高性能AlG aN/GaN金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（MOS-HEMT）。在柵壓為-20 V時,MOS-HEMT的柵漏電比Schottky-gate HEMT的柵漏電低4個數(shù)量級以上。在柵壓為+2 V時,Schottky-gate HEMT的柵漏電為191μA;在柵壓為+20 V時,MOS-HEMT的柵漏電僅為23.6 nA,比同樣尺寸的Schottky-gate HEMT的柵漏電低將近7個數(shù)量級。AlG aN/GaN MOSHEMT的柵壓擺幅達(dá)到了±20 V。在柵壓Vgs=0 V時,MOS-HEMT的飽和電流密度達(dá)到了646 mA/mm,相比Schottky-gate HEMT的飽和電流密度（277 mA/mm）提高了133%。柵漏間距為10μm的AlG aN/GaN MOSHEMT器件在柵壓為+3 V時的最大飽和輸出電流達(dá)到680 mA/mm,特征導(dǎo)通電阻為1.47 mΩ·cm2。Schottky-gate HEMT的開啟與關(guān)斷電流比僅為105,MOS-HEMT的開啟與關(guān)斷電... 

【文章來源】：發(fā)光學(xué)報. 2016,37(05)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 Introduction
2 Device Fabrication and Measurements
3 Results and Discussion
4 Conclusion


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]半導(dǎo)體GaN功率開關(guān)器件靈敏度測試技術(shù)[J]. 程俊紅,肖震霞.  電源學(xué)報. 2020(04)
[2]單載流子傳輸光敏晶體管小信號等效電路模型的建立與分析[J]. 孫丹,謝紅云,劉芮,劉碩,吳佳輝,張萬榮.  光子學(xué)報. 2017(11)



本文編號：3494890