設(shè)計(jì)并制備了結(jié)構(gòu)為摻錫氧化銦（ITO）/氧化鋅（ZnO）/納米多孔硅柱狀陣列（NSPA）/Si/Al的納米異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管（LED）,實(shí)現(xiàn)了近白光電致發(fā)光（EL）。利用蒸氣刻蝕技術(shù),在P-Si表面制備NSPA層。對NSPA表面進(jìn)行氧等離子體鈍化處理,通過優(yōu)化鈍化參數(shù)改善了硅基NSPA的發(fā)光特性。在NSPA表面生長N型ZnO薄膜,得到ZnO/NSPA納米異質(zhì)結(jié)LED。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,氧等離子體鈍化處理能夠有效地提高該器件的發(fā)光強(qiáng)度,并實(shí)現(xiàn)近白光發(fā)射。 

【文章來源】：激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2016,53(11)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1引言
2實(shí)驗(yàn)
3結(jié)果與分析
4結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]高質(zhì)量ZnO薄膜的MOCVD法可控生長及其發(fā)光器件研究[D]. 史志鋒.吉林大學(xué) 2015

碩士論文
[1]Si上MOCVD法制備ZnO薄膜以及n-ZnO/MgO/p-Si異質(zhì)結(jié)器件發(fā)光研究[D]. 崔夕軍.吉林大學(xué) 2015



本文編號：3485418