分子束外延HgCdTe/InSb材料需要阻止In元素在HgCdTe中的不受控擴(kuò)散。我們使用CdTe緩沖層作為阻擋層,以期控制In的擴(kuò)散。為研究In元素在CdTe材料中的擴(kuò)散,我們使用分子束外延方法獲得CdTe/InSb樣品。考慮到在退火時In元素可能通過環(huán)境擴(kuò)散污染材料,我們使用SiO₂作為鈍化層,通過對比試驗發(fā)現(xiàn)In元素通過環(huán)境擴(kuò)散污染表面的證據(jù),為控制In元素的擴(kuò)散提供新的思路。 

【文章來源】：激光與紅外. 2020,50(05)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：3 頁

【部分圖文】：

InSb熱脫附RHEED圖樣

材料鈍化結(jié)構(gòu)示意圖

為退火樣品的In元素SIMS測試結(jié)果。圖3中#1樣品是原生片,#2是表面未做鈍化保護(hù)的樣品,#3是正面鈍化的樣品,#4是背面鈍化的樣品。材料表面的鈍化保護(hù)層是使用磁控濺射的方法在材料表面生長一層約200 nm厚的SiO2保護(hù)層,用以防止退火過程中In元素向環(huán)境中蒸發(fā)擴(kuò)散。圖3 退火樣品In元素SIMS測試結(jié)果 (#1原生片#2未鈍化樣品#3正面鈍化樣品#4背面鈍化樣品)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]MBE外延InSb基CdTe工藝研究[J]. 王叢,劉銘,王經(jīng)緯,尚林濤,周立慶.  激光與紅外. 2017(04)
[2]CdTe/Si復(fù)合襯底Ex-situ退火研究[J]. 劉銘,周立慶,鞏鋒,常米,王經(jīng)緯,王叢.  激光與紅外. 2012(08)



本文編號：3465279