隨著節(jié)能意識(shí)和需求的逐步提高,白光LED固態(tài)照明在全世界都得到廣泛的關(guān)注和發(fā)展。目前,白光LED主要采用高效率藍(lán)紫光LED激發(fā)熒光粉轉(zhuǎn)化為黃、綠和紅光混合得到白光,然而基于熒光粉轉(zhuǎn)化的白光LED存在著易老化、轉(zhuǎn)化效率低、色溫偏低等諸多缺點(diǎn)。而采用量子點(diǎn)替代熒光粉作為下轉(zhuǎn)換材料具有轉(zhuǎn)換效率高、穩(wěn)定性和顯色性好等優(yōu)點(diǎn)。本論文首先采用CdSe/ZnS核殼結(jié)構(gòu)綠、黃、紅光量子點(diǎn)及YAG黃色熒光粉作為光轉(zhuǎn)換材料,以InGaN藍(lán)光LED芯片作為激發(fā)光源制備五種不同結(jié)構(gòu)的白光LED,分別為直接熒光粉涂敷;綠、黃、紅光量子點(diǎn)混合涂敷;綠、紅量子點(diǎn)加黃色熒光粉混合涂敷;量子點(diǎn)在熒光粉之上涂敷以及熒光粉在量子點(diǎn)之上涂敷的白光LED。經(jīng)過測(cè)試分析和對(duì)比,得出在量子點(diǎn)涂敷在熒光粉之上同時(shí)綠色量子點(diǎn):黃色熒光粉:紅色量子點(diǎn)的質(zhì)量配比定為5:2:1的條件下制備的白光LED器件的顯色指數(shù)達(dá)到了 88,光效為113.5 lm/W,是相對(duì)最優(yōu)化的表面涂敷型白光LED的結(jié)構(gòu)。其次,本論文在研究InGaN量子阱和CdSe/（Zn,Cd）S量子點(diǎn)之間的共振能量轉(zhuǎn)移機(jī)理的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)并制備了納米孔陣列型量子點(diǎn)白光LED。采用L... 

【文章來(lái)源】：天津工業(yè)大學(xué)天津市

【文章頁(yè)數(shù)】：76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
學(xué)位論文的主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 LED的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用
        1.2.1 LED在照明領(lǐng)域的應(yīng)用
        1.2.2 LED在顯示領(lǐng)域的應(yīng)用
    1.3 白光LED實(shí)現(xiàn)方式
    1.4 本論文主要研究?jī)?nèi)容
第二章 量子點(diǎn)在白光LED中的應(yīng)用
    2.1 量子點(diǎn)簡(jiǎn)介
        2.1.1 量子點(diǎn)的特性
        2.1.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)光學(xué)特性
        2.1.3 量子點(diǎn)器件的主要應(yīng)用
    2.2 量子點(diǎn)作為電致發(fā)光材料在LED中的應(yīng)用
    2.3 量子點(diǎn)作為熒光轉(zhuǎn)換材料在LED中的應(yīng)用
        2.3.1 表面涂覆型量子點(diǎn)LED
        2.3.2 共振能量轉(zhuǎn)移型量子點(diǎn)LED
    2.4 本章小結(jié)
第三章 表面涂覆型量子點(diǎn)白光LED的研究
    3.1 實(shí)驗(yàn)材料和器材
    3.2 量子點(diǎn)白光LED的制備流程
        3.2.1 熒光粉涂敷LED的制備
        3.2.2 量子點(diǎn)涂敷LED的制備
        3.2.3 熒光粉和量子點(diǎn)混合涂敷LED的制備
        3.2.4 熒光粉在量子點(diǎn)之上涂敷LED的制備
        3.2.5 量子點(diǎn)在熒光粉之上涂敷LED的制備
    3.3 表面涂覆型量子點(diǎn)白光LED的表征
        3.3.1 光學(xué)性能表征
        3.3.2 色彩學(xué)性能表征
    3.4 測(cè)試結(jié)果與討論
        3.4.1 熒光粉與硅膠配比對(duì)白光LED光學(xué)性能的影響
        3.4.2 綠、黃、紅三色量子點(diǎn)的配比對(duì)白光LED光學(xué)性能的影響
        3.4.3 量子點(diǎn)與熒光粉混合配比對(duì)白光LED光學(xué)性能的影響
        3.4.4 量子點(diǎn)與熒光粉混合涂敷方式對(duì)白光LED光學(xué)性能的影響
    3.5 本章小結(jié)
第四章 基于共振能量轉(zhuǎn)移機(jī)制量子點(diǎn)白光LED器件的研究
    4.1 納米孔陣列型量子點(diǎn)白光LED的器件結(jié)構(gòu)
    4.2 量子點(diǎn)白光LED的工藝流程
    4.3 干涉曝光法制備納米孔陣列的研究
        4.3.1 勞厄德激光干涉光刻系統(tǒng)原理及結(jié)構(gòu)
        4.3.2 干涉光刻加工納米圖形結(jié)構(gòu)
        4.3.3 小結(jié)
    4.4 測(cè)試結(jié)果與分析
        4.4.1 不同量子點(diǎn)濃度對(duì)量子點(diǎn)白光LED芯片的影響
        4.4.2 多色量子點(diǎn)混合旋涂的白光LED的制備
        4.4.3 小結(jié)
    4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文和參加科研情況
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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