金線鍵合被廣泛用作半導體芯片與印制電路板之間的互連,在集成電路封裝工藝中起著非常關鍵的作用。金線鍵合技術要采用到化學鍍鎳鈀浸金（ENEPIG）表面修飾技術,而化學鍍鎳鈀浸金表面修飾技術的鍍前鈀活化環(huán)節(jié)由于其成本高、溶液抗干擾能力差等缺點,使非鈀活化技術成為行業(yè)的研究熱點。同時,隨著傳輸頻率的增加,ENEPIG技術中鎳層的性質對信號傳輸?shù)挠绊懹语@著,因此研究鎳層性質對信號完整性的影響對保證信號傳輸質量起著關鍵作用�；谀壳按嬖诘拟Z活化問題,本文采用二甲胺基甲硼烷（DMAB）-次亞磷酸鈉雙還原劑體系進行非鈀活化技術研究,利用正交優(yōu)化實驗進行配方優(yōu)化,結合電化學工作站、SEM、EDS等測試手段分析了DMAB電化學及鍍層性能。發(fā)現(xiàn)檸檬酸鈉的含量對鍍液穩(wěn)定性、鍍速、鍍層性能影響最大,同時次亞磷酸鈉的增加有助于提高鍍層的沉積效率。綜合考慮,檸檬酸鈉取25g/L,次亞磷酸鈉取12g/L,氯化銨取10g/L,硫酸鎳取30g/L,DMAB取2g/L時,能夠得到鍍液穩(wěn)定性優(yōu)良,鍍層耐蝕性好、表面排列均勻細致、磷含量達標、催化活性高/的鎳鍍層�；瘜W鍍鎳層（EN）的質量在整個ENEPIG環(huán)節(jié)中起著關鍵作用。... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 微電子封裝互連技術發(fā)展現(xiàn)狀
    1.2 化學鍍鎳/鍍鈀/浸金表面修飾技術現(xiàn)狀及發(fā)展
        1.2.1 印制電路板表面修飾技術
        1.2.2 化學鍍鎳/鍍鈀/浸金表面修飾技術概述
        1.2.3 化學鍍鎳
        1.2.4 化學鍍鈀/化學鍍金
    1.3 高頻高速印制電路板信號完整性概述
        1.3.1 高頻高速印制電路板簡述
        1.3.2 信號完整性概述
    1.4 論文選題依據(jù)及研究內(nèi)容
        1.4.1 論文選題依據(jù)
        1.4.2 主要研究內(nèi)容
第二章 二甲胺基甲硼烷-次亞磷酸鈉雙還原劑體系非鈀活化研究
    2.1 實驗部分
        2.1.1 實驗藥品及儀器
        2.1.2 配方優(yōu)化正交實驗設計
        2.1.3 電化學測試
        2.1.4 沉積速率測試
        2.1.5 鍍層元素含量及形貌分析
    2.2 結果與討論
        2.2.1 二甲胺基硼烷電化學性能分析
        2.2.2 正交實驗結果分析
        2.2.3 電化學測試結果分析
        2.2.4 沉積速率對比
        2.2.5 鍍層元素含量及形貌分析
    2.3 本章小結
第三章 不同含硫穩(wěn)定劑對化學鍍鎳影響及吸附行為研究
    3.1 實驗部分
        3.1.1 溶液配置及實驗方案
        3.1.2 實驗表征及測試
    3.2 實驗結果與分析
        3.2.1 穩(wěn)定劑對H2PO2-陽極極化的影響
        3.2.2 穩(wěn)定劑對鍍液穩(wěn)定性及鍍速的影響
        3.2.3 穩(wěn)定劑對鍍層表面形貌的影響
        3.2.4 鍍層電化學性能分析
    3.3 理論化學計算與分子動力學模擬
        3.3.1 量子化學計算
        3.3.2 分子動力學模擬
    3.4 含硫穩(wěn)定劑作用機理分析
    3.5 本章小結
第四章 鎳鈀金表面修飾技術對高頻傳輸線信號完整性的影響
    4.1 實驗方案及結果表征
        4.1.1 測試板設計
        4.1.2 實驗表征及測試方法
    4.2 實驗結果與討論
        4.2.1 不同銅面修飾技術表面微觀形貌及粗糙度觀察
        4.2.2 不同銅面修飾技術表面元素含量分析
        4.2.3 不同銅面修飾技術對微帶線信號完整性的影響
        4.2.4 鎳層磷含量對微帶線信號傳輸?shù)挠绊?br>        4.2.5 鎳厚對微帶線信號傳輸?shù)挠绊懷芯?br>    4.3 本章小結
第五章 結論
致謝
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的成果



本文編號：3436923