第三代寬禁帶半導(dǎo)體GaN晶體管具有低導(dǎo)通阻抗、低寄生參數(shù)和更快的開關(guān)速度,有望取代傳統(tǒng)Si MOSFET,成為未來高性能電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方案。GaN器件的優(yōu)勢(shì)在400 V以上高壓系統(tǒng)中更為明顯,可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和功率密度,顯著提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率,特別適合電源模塊小型化發(fā)展趨勢(shì)。介紹了200 V以下低壓GaN驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用和關(guān)鍵技術(shù)。分析了從低壓系統(tǒng)拓展到400 V以上高壓系統(tǒng)時(shí)需要作出的優(yōu)化與改進(jìn)。詳細(xì)介紹了高壓GaN系統(tǒng)中基于無磁芯變壓器耦合隔離的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)和耗盡型GaN負(fù)壓柵驅(qū)動(dòng)技術(shù)。最后,總結(jié)了目前高壓GaN驅(qū)動(dòng)電路在工業(yè)領(lǐng)域的具體應(yīng)用。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 200 V以下低壓GaN驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用及其關(guān)鍵技術(shù)
    1.1 48～12 V DC-DC中間總線轉(zhuǎn)換電路應(yīng)用
    1.2 寬壓輸入、低占空比的汽車電子供電應(yīng)用
    1.3 HPA高速高功率供電應(yīng)用
    1.4 低壓GaN驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵技術(shù)
2 低壓GaN驅(qū)動(dòng)方案在高壓系統(tǒng)中存在的問題
3 400 V以上高壓GaN驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵技術(shù)
    3.1 隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
        3.1.1 數(shù)字隔離器工作原理
        3.1.2 數(shù)字隔離器的隔離結(jié)構(gòu)
        3.1.3 無磁芯變壓器耦合隔離結(jié)構(gòu)
        3.1.4 數(shù)字隔離器中信號(hào)傳輸方式
    3.2 耗盡型GaN柵驅(qū)動(dòng)技術(shù)
        3.2.1 柵-源串聯(lián)驅(qū)動(dòng)技術(shù)
        3.2.2 電荷泵負(fù)壓柵驅(qū)動(dòng)技術(shù)
4 400 V以上高壓GaN驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用
    4.1 AC-DC一次電源架構(gòu)
    4.2 AC-DC適配器應(yīng)用
5 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]增強(qiáng)型GaN功率器件柵驅(qū)動(dòng)技術(shù)設(shè)計(jì)考慮[J]. 明鑫,張宣,周琦,張波.  電力電子技術(shù). 2017(08)



本文編號(hào)：3427733