芯片級電遷移分析與友好布線的研究
發(fā)布時間:2021-10-08 08:21
隨著工藝節(jié)點的不斷進步,電遷移效應(yīng)已成為影響集成電路互連線可靠性最重要的問題之一。集成電路版圖中,由于電源地互連線網(wǎng)絡(luò)長時間承載單一方向的大電流,這會在互連線末端產(chǎn)生應(yīng)力堆積,所以電源地互連線網(wǎng)絡(luò)跟信號線互連線相比更容易受電遷移的影響而產(chǎn)生失效,F(xiàn)有的電遷移分析方法和模型都主要針對單個互連線結(jié)構(gòu),這與包含有許多互連線樹結(jié)構(gòu)的實際集成電路芯片不符。因此,如何確保分析模型的準確性并且實現(xiàn)全芯片的電遷移分析是非常有必要的。本文應(yīng)用基于物理特性的流體靜應(yīng)力分析模型,對常見互連線結(jié)構(gòu)進行了有限元仿真并對應(yīng)力分布進行了建模,將電遷移分析模型應(yīng)用到具體的數(shù)字集成電路版圖中進行分析,并制定了基于冗余過孔技術(shù)的電遷移修正算法和腳本,最終設(shè)計出一種與標準設(shè)計流程兼容的電遷移修復(fù)方法。數(shù)據(jù)結(jié)果表明:通過引入冗余過孔結(jié)構(gòu)可以有效降低最大電流密度和溫度梯度,延緩空洞的生長,使得電阻變化較為緩慢,從而提高電遷移壽命。從1x1過孔增加到1x3過孔,過孔失效中值時間提高了52.14%;從1x3過孔增加到3x3過孔,過孔失效中值時間提高了14.04%。綜合考慮,1x3過孔在提高了電遷移抗性的前提下,所帶來的布線面積的增...
【文章來源】:大連理工大學遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:64 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
(a)集成電路中互連線線寬的變化趨勢
圖 3.8 互連線結(jié)構(gòu)中的電流密度分布云圖Fig.3.8 The distribution of current density in interconnect tree圖 3.9 電流密度沿著上層金屬表面的分布曲線Fig.3.9 Current Density distribution along the top interface遷移偏微分數(shù)學求解場模型建立及分析A/m2
- 26 -圖 3.9 電流密度沿著上層金屬表面的分布曲線Fig.3.9 Current Density distribution along the top interface遷移偏微分數(shù)學求解場模型建立及分析上一章節(jié)的仿真數(shù)據(jù),這一章節(jié)就可以將電流密度分布數(shù)據(jù)作為載解。這一部分借助于 COMSOL 的偏微分求解模塊 PDE(partial diff,COMSOL 的數(shù)學模塊包含了一系列基于數(shù)學方程的求解模型以析模型,主要包括偏微分方程求解模塊、常微分方程和微分代數(shù)方程分方程等。其中經(jīng)典偏微分方程分為拉普拉斯方程、泊松方程、熱微分方程組包括系數(shù)型偏微分方程、一般形式偏微分方程、波偏微分方程。本文的基于物理特性的流體靜應(yīng)力分析模型是應(yīng)力關(guān)于導(dǎo)
【參考文獻】:
期刊論文
[1]金屬互連結(jié)構(gòu)的電遷移仿真分析[J]. 鄧登,崔海坡. 焊接學報. 2015(01)
[2]超深亞微米集成電路的銅互連技術(shù)布線工藝與可靠性[J]. 杜鳴,郝躍. 西安電子科技大學學報. 2005(01)
[3]集成電路互連引線電遷移的研究進展[J]. 吳豐順,張金松,吳懿平,鄭宗林,王磊,譙鍇. 半導(dǎo)體技術(shù). 2004(09)
[4]集成電路片內(nèi)銅互連技術(shù)的發(fā)展[J]. 陳智濤,李瑞偉. 微電子學. 2001(04)
本文編號:3423787
【文章來源】:大連理工大學遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:64 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
(a)集成電路中互連線線寬的變化趨勢
圖 3.8 互連線結(jié)構(gòu)中的電流密度分布云圖Fig.3.8 The distribution of current density in interconnect tree圖 3.9 電流密度沿著上層金屬表面的分布曲線Fig.3.9 Current Density distribution along the top interface遷移偏微分數(shù)學求解場模型建立及分析A/m2
- 26 -圖 3.9 電流密度沿著上層金屬表面的分布曲線Fig.3.9 Current Density distribution along the top interface遷移偏微分數(shù)學求解場模型建立及分析上一章節(jié)的仿真數(shù)據(jù),這一章節(jié)就可以將電流密度分布數(shù)據(jù)作為載解。這一部分借助于 COMSOL 的偏微分求解模塊 PDE(partial diff,COMSOL 的數(shù)學模塊包含了一系列基于數(shù)學方程的求解模型以析模型,主要包括偏微分方程求解模塊、常微分方程和微分代數(shù)方程分方程等。其中經(jīng)典偏微分方程分為拉普拉斯方程、泊松方程、熱微分方程組包括系數(shù)型偏微分方程、一般形式偏微分方程、波偏微分方程。本文的基于物理特性的流體靜應(yīng)力分析模型是應(yīng)力關(guān)于導(dǎo)
【參考文獻】:
期刊論文
[1]金屬互連結(jié)構(gòu)的電遷移仿真分析[J]. 鄧登,崔海坡. 焊接學報. 2015(01)
[2]超深亞微米集成電路的銅互連技術(shù)布線工藝與可靠性[J]. 杜鳴,郝躍. 西安電子科技大學學報. 2005(01)
[3]集成電路互連引線電遷移的研究進展[J]. 吳豐順,張金松,吳懿平,鄭宗林,王磊,譙鍇. 半導(dǎo)體技術(shù). 2004(09)
[4]集成電路片內(nèi)銅互連技術(shù)的發(fā)展[J]. 陳智濤,李瑞偉. 微電子學. 2001(04)
本文編號:3423787
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