半導體薄膜場效應晶體管,具備容易制備,耗能較低,制備的器件各項性能穩(wěn)定性較好等優(yōu)點,是集成電路制造中的基礎單元器件。因半導體摻雜特性及制備工藝等因素的影響,目前,世界范圍內(nèi)對n型半導體材料的制備和薄膜場效應晶體管器件方面上的研究較多,而對于p型氧化物半導體薄膜場效應晶體管的材料、器件制備及理論分析方面的研究卻相對滯后。近年來,p型氧化物半導體薄膜場效應晶體管器件在太陽能電池、光伏器件、透明電子器件、柔性電子器件等領域都顯示了較好的應用潛力。因此,開展p型氧化物半導體薄膜場效應晶體管器件的制備、特性及應用研究也是當今半導體材料與器件研究領域的熱點問題。本論文主要內(nèi)容如下:（1）使用第一性原理密度泛函理論的計算,系統(tǒng)的研究了結構優(yōu)化后的Cu₂O晶體材料的能帶結構、態(tài)密度等特性。未摻雜的Cu₂O最小禁帶寬度約是0.51eV,是直接帶隙半導體。其價帶頂?shù)碾娮幽芗壷饕蒀u-3d和O-2p態(tài)電子共同貢獻,導帶底的電子能級則主要由Cu-4p和O-2p態(tài)電子共同貢獻。計算發(fā)現(xiàn),Cu₂O晶體的禁帶寬度比較的小,其費米能面更接近價帶,能帶... 

【文章來源】：遼寧師范大學遼寧省

【文章頁數(shù)】：48 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

Cu2O晶胞結構

圖 2.1 Cu2O超晶胞結構圖Fig. 2.1 Cu2O supercell structure figure構建 Cu2O 的超晶胞模型，如圖 2.1 是建立的 2×2×2 超晶胞模型。對結構對體系內(nèi)的電子結構分析。計算前，先對 Cu2O 計算體系進行參數(shù)設置，表 2.1 Cu2O計算參數(shù)設置Tab. 2.1 Cu2O calculation parametersetting

研究的計算結果是具有一定價值的。表 2.2 Cu2O幾何優(yōu)化后的結構參數(shù)Tab. 2.2 Cu2O geometrically optimized structuralparameters能帶結構及態(tài)密度了能更好的了解 Cu2O晶體的電子結構和能態(tài)密度，本文根據(jù)優(yōu)化計算的了未摻雜的 Cu2O晶體的能帶結構圖和態(tài)密度圖像，如圖 2.2和圖 2.3。

【參考文獻】：
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本文編號：3421296