T/R組件關(guān)鍵制造技術(shù)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-09-29 15:05
T/R組件,也稱微波收發(fā)組件,是有源相控陣?yán)走_(dá)的核心組成部分,通常一個(gè)天線陣面可由數(shù)千個(gè)T/R組件組成。而其內(nèi)部空間小,需焊接的芯片多,具有一定的生產(chǎn)制造難度。針對T/R組件生產(chǎn)中存在的瓶頸問題,提高T/R組件在工程化批量生產(chǎn)可行性,本課題提出了T/R組件關(guān)鍵制造技術(shù)研究方案。首先,論文開展了印制板電極區(qū)金屬化工藝技術(shù)研究,發(fā)現(xiàn)鎳鈀金膜層中的鈀層可以消除由于鎳腐蝕引發(fā)的鎳金界面缺陷問題;經(jīng)過高溫烘烤處理后,鎳鈀金膜層比鎳金膜層表現(xiàn)出更好的潤濕性能和熱穩(wěn)定性;選擇鈀層的最佳厚度為0.5μm,可同時(shí)滿足引線鍵合工序和釬焊工序?qū)τ≈瓢迥拥囊。其?論文進(jìn)行了印制板大面積焊工藝技術(shù)研究,通過減成法在印制板下表面加工微凸臺形成毛細(xì)通道,采用汽相再流焊的方式進(jìn)行印制板和殼體的大面積焊接,可實(shí)現(xiàn)焊接X-ray拍照后釬透率達(dá)到90%以上,有效減少空洞的存在。最后,針對多芯片真空共晶焊接的工藝進(jìn)行了研究,設(shè)計(jì)含有凹腔和定位臺階結(jié)構(gòu)的多功能芯片定位夾具結(jié)構(gòu)和芯片定位模塊,利用無鉛焊料完成芯片共晶焊,芯片焊透率在88%以上,剪切強(qiáng)度均大于25N,殘留面積均大于50%。通過優(yōu)化的工藝技術(shù)研究,研制的T/R...
【文章來源】:上海交通大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:80 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
X波段有源相控陣天線示意圖
圖 1-2 T/R 組件主要應(yīng)用領(lǐng)域圖Fig1-2 T/R module main application areas T/R 組件所具備的高可靠性、高集成度、小型化等優(yōu)勢,其性、成本、可靠性和一致性等指標(biāo)直接影響雷達(dá)相應(yīng)的整機(jī)指作為我國新型武器、宇航通信設(shè)備等領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵產(chǎn)品和
圖 1-3APG-63(v)2AESA 改裝的 F-15C 戰(zhàn)斗機(jī)圖Fig1-3 F-15C modified fighter chart of AESAn 公 司 于 2000 年 啟 動(dòng) 研 制 的 最新 的 APG-79 A Scanning Array 有源電子掃描陣列)雷達(dá),在 2004 年P(guān)LowRateInitialProduction),其采用第六代 T/R 組件。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]大面積基板焊接空洞率研究[J]. 曾嵩,孫乎浩,王成,陳澄,陳旭輝. 電子工藝技術(shù). 2017(05)
[2]真空共晶焊接技術(shù)研究[J]. 龐婷,王輝. 電子工藝技術(shù). 2017(01)
[3]有源相控陣?yán)走_(dá)T/R組件技術(shù)研究[J]. 丁武偉,趙文普,穆仕博. 飛航導(dǎo)彈. 2016(12)
[4]混合集成電路組裝中的共晶焊技術(shù)[J]. 楊宗亮,俸緒群. 電子測試. 2016(15)
[5]真空共晶焊接工藝參數(shù)對焊點(diǎn)空洞率的影響[J]. 龐天生,陳小勇. 桂林電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2016(03)
[6]多層微波印制板制造工藝及裝聯(lián)技術(shù)研究[J]. 崔潔,楊維生. 電子機(jī)械工程. 2014(04)
[7]基于正交試驗(yàn)的金絲鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化[J]. 宋云乾. 電子工藝技術(shù). 2014(02)
[8]液體表面張力實(shí)驗(yàn)結(jié)果的測量不確定度評定[J]. 李倩,李佳榮. 工業(yè)計(jì)量. 2014(01)
[9]T/R組件基板電極區(qū)的互連可靠性[J]. 王立春,吳毓穎,陳靖,曹向榮. 電子元件與材料. 2012(07)
[10]薄膜基板芯片共晶焊技術(shù)研究[J]. 巫建華. 電子與封裝. 2012(06)
碩士論文
[1]基于SiP技術(shù)T/R組件關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 吳陽.電子科技大學(xué) 2014
[2]微組裝關(guān)鍵工藝技術(shù)研究[D]. 謝穎.電子科技大學(xué) 2010
[3]微波多芯片組件微組裝關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用研究[D]. 李孝軒.南京理工大學(xué) 2009
本文編號:3413920
【文章來源】:上海交通大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:80 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
X波段有源相控陣天線示意圖
圖 1-2 T/R 組件主要應(yīng)用領(lǐng)域圖Fig1-2 T/R module main application areas T/R 組件所具備的高可靠性、高集成度、小型化等優(yōu)勢,其性、成本、可靠性和一致性等指標(biāo)直接影響雷達(dá)相應(yīng)的整機(jī)指作為我國新型武器、宇航通信設(shè)備等領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵產(chǎn)品和
圖 1-3APG-63(v)2AESA 改裝的 F-15C 戰(zhàn)斗機(jī)圖Fig1-3 F-15C modified fighter chart of AESAn 公 司 于 2000 年 啟 動(dòng) 研 制 的 最新 的 APG-79 A Scanning Array 有源電子掃描陣列)雷達(dá),在 2004 年P(guān)LowRateInitialProduction),其采用第六代 T/R 組件。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]大面積基板焊接空洞率研究[J]. 曾嵩,孫乎浩,王成,陳澄,陳旭輝. 電子工藝技術(shù). 2017(05)
[2]真空共晶焊接技術(shù)研究[J]. 龐婷,王輝. 電子工藝技術(shù). 2017(01)
[3]有源相控陣?yán)走_(dá)T/R組件技術(shù)研究[J]. 丁武偉,趙文普,穆仕博. 飛航導(dǎo)彈. 2016(12)
[4]混合集成電路組裝中的共晶焊技術(shù)[J]. 楊宗亮,俸緒群. 電子測試. 2016(15)
[5]真空共晶焊接工藝參數(shù)對焊點(diǎn)空洞率的影響[J]. 龐天生,陳小勇. 桂林電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2016(03)
[6]多層微波印制板制造工藝及裝聯(lián)技術(shù)研究[J]. 崔潔,楊維生. 電子機(jī)械工程. 2014(04)
[7]基于正交試驗(yàn)的金絲鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化[J]. 宋云乾. 電子工藝技術(shù). 2014(02)
[8]液體表面張力實(shí)驗(yàn)結(jié)果的測量不確定度評定[J]. 李倩,李佳榮. 工業(yè)計(jì)量. 2014(01)
[9]T/R組件基板電極區(qū)的互連可靠性[J]. 王立春,吳毓穎,陳靖,曹向榮. 電子元件與材料. 2012(07)
[10]薄膜基板芯片共晶焊技術(shù)研究[J]. 巫建華. 電子與封裝. 2012(06)
碩士論文
[1]基于SiP技術(shù)T/R組件關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 吳陽.電子科技大學(xué) 2014
[2]微組裝關(guān)鍵工藝技術(shù)研究[D]. 謝穎.電子科技大學(xué) 2010
[3]微波多芯片組件微組裝關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用研究[D]. 李孝軒.南京理工大學(xué) 2009
本文編號:3413920
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