通過改進(jìn)InP晶錠加工流程的設(shè)計,明顯提高了直徑不均勻或者含有多晶或?qū)\晶晶錠的出片量。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料晶錠加工流程相比,采用本加工技術(shù)加工晶錠的最終出片面積至少能夠提高20%,在某些情況下能達(dá)到50%以上。為了驗證該加工流程對晶片參數(shù)的影響,研究了InP晶錠表面起伏對晶片厚度一致性、翹曲度、彎曲度等幾何參數(shù)的影響。實驗結(jié)果表明,在切割參數(shù)相同的情況下,采用本加工技術(shù)獲得的晶片厚度一致性較差,造成參數(shù)惡化的原因是晶錠表面起伏使鋼線在接觸晶錠表面時可能出現(xiàn)位移。通過在晶錠表面粘接特殊的板補償晶體表面起伏,改善了晶片厚度一致性。本方法可以在保證生產(chǎn)質(zhì)量合格的成品晶片的同時,大幅度提高晶錠最終出片面積。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020,45(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

非滾圓晶錠切片厚度分布

滾圓晶錠切片厚度分布

圖6 兩種晶片翹曲度值對比

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]磷化銦單晶片拋光工藝研究[J]. 王云彪,楊洪星,陳亞楠,趙權(quán).  電子工藝技術(shù). 2013(05)
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博士論文
[1]InP晶體合成、生長和特性[D]. 孫聶楓.天津大學(xué) 2008



本文編號：3413872