太赫茲波在電磁波譜中位于微波和紅外輻射之間,是最后一個人類尚未完全認(rèn)知和利用的頻段,由于太赫茲波的低能性、指紋譜性、高穿透性及寬帶性等特殊性質(zhì)而具有廣闊的應(yīng)用前景和戰(zhàn)略性基礎(chǔ)性的研究價值。太赫茲信號源的產(chǎn)生主要有電子學(xué)方法或光子學(xué)方法兩種手段,通過電子振蕩過程向外輻射THz波,便于集成,系統(tǒng)體積較小,造價相對較低,因此本課題采用硅工藝?yán)秒娮訉W(xué)的方法產(chǎn)生太赫茲信號源,目標(biāo)是產(chǎn)生300GHz的可調(diào)諧的高功率信號。本文介紹了太赫茲振蕩器設(shè)計(jì)中需要了解的工藝和器件模型知識,并比較了微帶線、帶地的共面波導(dǎo)（GCPW）、慢波模式的共面波導(dǎo)（SCPW）和慢波模式的微帶線（SWTL）等不同結(jié)構(gòu)的傳輸線。從仿真對比及振蕩器的測試中得到帶地的共面波導(dǎo)（GCPW）和慢波模式的共面波導(dǎo)（SCPW）性能較好,并對共面波導(dǎo)具體參數(shù)的設(shè)計(jì)方法進(jìn)行了經(jīng)驗(yàn)總結(jié),給出了EDA使用過程中常見問題的解決方法。本文采用TSMC 65nm GP工藝設(shè)計(jì)了三種不同無源元件的三推振蕩器,芯片面積都是0.097mm²。已經(jīng)流片并測試,測試結(jié)果顯示GCPW結(jié)構(gòu)和SCPW結(jié)構(gòu)的電路輸出信號頻率分別為272.7GHz... 

【文章來源】：東南大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：105 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

TSMC60nmNMOS管fT隨電流變化曲線

TSMC40nmNMOS管fT隨電流變化曲線

TSMC60nmNMOS管fmax隨電流變化曲線

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]電感電容壓控振蕩器[D]. 唐長文.復(fù)旦大學(xué) 2004

碩士論文
[1]集成衍射微結(jié)構(gòu)的THz發(fā)射晶體的研究[D]. 胡曉堃.天津大學(xué) 2012



本文編號：3392419