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硅基集成量子光學(xué)芯片實驗研究

發(fā)布時間:2021-09-07 08:59
  量子信息科學(xué)的產(chǎn)生和發(fā)展向我們呈現(xiàn)出了一幅完全不同并近乎完美的畫面,例如,絕對安全的通信,信息的隱形傳輸以及指數(shù)級增長的計算能力。這種美好促使著數(shù)十年來科研工作者們前赴后繼,并在不同的量子系統(tǒng)中去闡述和開發(fā)量子科技。光量子系統(tǒng),以其對環(huán)境噪聲的完美免疫和高保真度的單量子比特調(diào)控,在量子信息傳輸和處理中一直占據(jù)著重要地位。復(fù)雜光學(xué)系統(tǒng)的實現(xiàn)需囊括數(shù)以萬計基本元件,考慮到量子器件的可擴展性,穩(wěn)定性和小型化等問題,我們需要引入波導(dǎo)集成技術(shù)。硅材料,以其便宜,易加工,并能夠密集集成等優(yōu)勢,在微電子學(xué)芯片中處于核心地位。同樣在光信息科學(xué)上,硅材料憑借著成熟的加工工藝,以及硅波導(dǎo)對光信號的強束縛能力和較高的非線性系數(shù),硅基光量子芯片在近幾年也取得了快速發(fā)展。齊全的集成光學(xué)系統(tǒng)除了功能性的量子集成光學(xué)芯片之外,還需要實現(xiàn)芯片-光纖間的耦合,片上量子態(tài)調(diào)控以及量子信號測試和處理等。本論文致力于這樣一套齊全的硅基量子光學(xué)集成芯片系統(tǒng)的研發(fā)設(shè)計和實驗測量,主要包括兩個方面,一方面是實現(xiàn)片上光量子態(tài)的傳輸和調(diào)控,另一方面是基于硅波導(dǎo)的非線性光學(xué)相互作用,制備新型量子糾纏光源。具體的研究內(nèi)容包括:(1)根據(jù)波... 

【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:108 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

硅基集成量子光學(xué)芯片實驗研究


圖1.1集成量子光學(xué)器件示意圖

示意圖,波導(dǎo)結(jié)構(gòu),單模,示意圖


波導(dǎo)基本概念??成光子學(xué)的概念,最早是1969年由美國貝爾實驗室的科學(xué)家Stewart率先提出[1]。而集成光學(xué)芯片,是把激光器、調(diào)制器和探測器等主,用光波導(dǎo)、分束器和濾波器等被動無源器件連接起來,并且集成在上的光學(xué)系統(tǒng),具有多功能化、集成化,小型化等優(yōu)點。而量子集成旨在芯片尺度實現(xiàn)不同的量子功能,進一步促進量子信息科學(xué)的發(fā)展前集成光學(xué)芯片中用到的材料有很多,如硅基材料(二氧化硅(Si02i?),氮化硅(Si3N4?)等),III-V族材料(砷化鎵(GaAs?),磷化銦(In鈮酸鋰(LiNb03)等。目前在集成光量子芯片中,以硅基材料中的常用。桂波導(dǎo)一般通過刻蝕SOI?(?Silicon-on-insulator,絕緣襯底上獲得,最常用的晶圓表面掛厚度為220nm,掛下面是一層2pm厚的S往下為硅基底。刻蝕得到的單模硅波導(dǎo)截面尺寸通常為220x450nm2?(子掃描顯微鏡(SEM)圖所示),并且硅波導(dǎo)的彎曲半徑可低至5^m,以實現(xiàn)很高的集成度[2,?3]。??(b)??

示意圖,源結(jié)構(gòu),雙光子,自由度


?L_?O??圖2.2四波混頻過程及波導(dǎo)基本結(jié)構(gòu)。(a)四波混頻過程能級圖。(b,c)用于產(chǎn)生光子??對的螺旋線和環(huán)形器結(jié)構(gòu)示意圖。??可能產(chǎn)生許多對光子。即使如此,這種自發(fā)非線性參量光源可同單光子探測器,??轉(zhuǎn)換網(wǎng)絡(luò)以及相應(yīng)的快速電控設(shè)備相結(jié)合,來構(gòu)造近確定的單光子源[13]。??(a)?(b)??8uftch?Sp&t?Poianzatior>'?mm)g)ed?photon?pairs??^?Si0^4v?2^?core??J?—1^-*?魯》?B40(W)?x?840{H}?nm7??二?k?i;?-\??()? ̄1?mm??I"?’—…I??一一?-一?丄??-?wsm^.??圖2.3片上不同自由度雙光子糾纏源結(jié)構(gòu)示意圖。(a)路徑編碼雙光子糾纏源。摘自文獻??[10]。(b)偏振編碼雙光子糾纏源。摘自文獻[11]。(c)波導(dǎo)模式編碼雙光子糾纏源。摘??自文獻[12]。??在光源制備成功之后,首先要做的是濾除量子信號中的泵浦激光,一是為了??防止后續(xù)態(tài)操作結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生新的量子噪聲,另外是為了防止過高的泵浦激光對??單光子探測器造成損傷和引入經(jīng)典噪聲。研宄表明,為了達到量子光學(xué)器件進??一步擴展的要求,需要將泵浦光濾除到遠(yuǎn)低于信號的級別,片上濾波器的隔離度??至少需要達到120dB[14]。??一個典型的量子光源制備過程如圖2.4?(a)所示,泵浦激光需先經(jīng)過前置??濾波器(IF?)來濾除兩邊的雜散噪聲


本文編號:3389260

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