用于PET讀出的多通道濾波成形ASIC芯片研制
發(fā)布時(shí)間:2021-09-07 08:45
為了實(shí)現(xiàn)重離子治癌in-beam PET系統(tǒng)中能量信號的高精度測量,該文設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一款多通道濾波成形專用集成電路(ASIC)芯片。該芯片包含4個(gè)通道,每通道由極零相消、低通濾波以及增益補(bǔ)償緩沖輸出電路組成,特點(diǎn)為:基于3.3 V供電;采用350 nm CMOS工藝設(shè)計(jì);流片尺寸為2.6 mm×1.25 mm。實(shí)驗(yàn)室電子學(xué)性能測試表明:該芯片具有4擋可調(diào)達(dá)峰時(shí)間(50 ns、100 ns、1 us、2 us),動態(tài)范圍可達(dá)-0.8~+1.0 V,每通道功耗為6.6 mW,線性度優(yōu)于0.12%,能量分辨優(yōu)于0.3%,長時(shí)間工作穩(wěn)定,通道串?dāng)_低于0.32%,增益誤差小于1.01%。經(jīng)放射源22Na與LaBr3探頭和光電倍增管(PMT)聯(lián)合測試表明,該芯片能量分辨優(yōu)于商用ORTEC 572主放插件,能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的in-beam PET能量信號測量。
【文章來源】:電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,49(06)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:6 頁
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]一種用于低頻微弱信號采集的通用放大器設(shè)計(jì)[J]. 劉雯,徐連明. 電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2014(02)
[2]高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源[J]. 吳志明,黃穎,呂堅(jiān),王靚,李素. 電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2008(03)
本文編號:3389241
【文章來源】:電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,49(06)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:6 頁
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]一種用于低頻微弱信號采集的通用放大器設(shè)計(jì)[J]. 劉雯,徐連明. 電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2014(02)
[2]高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源[J]. 吳志明,黃穎,呂堅(jiān),王靚,李素. 電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2008(03)
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