以量子通信、量子計(jì)算和量子測(cè)量為代表的量子信息技術(shù)飛速發(fā)展,而量子信息技術(shù)的發(fā)展依賴于高品質(zhì)的單光子源和糾纏光子源核心量子器件。在實(shí)現(xiàn)量子光源的諸多方案中,半導(dǎo)體量子點(diǎn)具有良好的退相干時(shí)間、可調(diào)波長(zhǎng)范圍大、易于集成制備等優(yōu)點(diǎn),是制備單光子源最有潛力的材料體系,被國(guó)內(nèi)外廣泛研究。但是量子點(diǎn)臨界成島條件十分苛刻,對(duì)淀積量和生長(zhǎng)溫度等參數(shù)極其敏感,生長(zhǎng)成功率低,可重復(fù)性差。如何實(shí)現(xiàn)低密度量子點(diǎn)的可控外延生長(zhǎng)是實(shí)現(xiàn)單光子源必需要解決的一個(gè)難題。為進(jìn)一步將單光子源推向遠(yuǎn)距離量子保密光纖通信的應(yīng)用,將單量子點(diǎn)波長(zhǎng)拓展到1.33微米乃至1.55微米是一個(gè)非常關(guān)鍵的問(wèn)題。本論文將針對(duì)InAs/GaAs量子點(diǎn)的密度可控分子束外延生長(zhǎng)方法、量子點(diǎn)激子發(fā)光特性、InAs/GaAs量子點(diǎn)發(fā)光波長(zhǎng)拓展等關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題進(jìn)行研究。主要研究成果如下:（1）采用“燒點(diǎn)法”和“梯度生長(zhǎng)法”相結(jié)合的方法,實(shí)現(xiàn)了量子點(diǎn)密度精確可控的外延生長(zhǎng)。外延生長(zhǎng)出了密度梯度分布的InAs/GaAs量子點(diǎn),波長(zhǎng)位于900-1000nm,量子點(diǎn)密度在0.5個(gè)/μm ²至5個(gè)/μm ²范圍。（2）詳細(xì)... 

【文章來(lái)源】：曲阜師范大學(xué)山東省

【文章頁(yè)數(shù)】：58 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

單個(gè)二能級(jí)體系在光激勵(lì)或電泵浦情況下產(chǎn)生單光子流

不同自組織半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光譜示意圖

圖2-1分子束外延系統(tǒng)示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3388878