發(fā)布時(shí)間：2021-09-04 06:37

　　微通道流動(dòng)沸騰技術(shù)在高功率密度微電子器件散熱方面具有非常重要的應(yīng)用。本文以去離子水為流體工質(zhì),對(duì)寬度為5.01 mm、高度為0.52 mm、加熱段長(zhǎng)度為30 mm的大寬高比單面加熱狹窄矩形微通道內(nèi)的過(guò)冷流動(dòng)沸騰傳熱特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,并結(jié)合高速攝像進(jìn)行流動(dòng)可視化揭示了傳熱機(jī)理。熱流密度的范圍為0-30 W/cm²,質(zhì)量流量的范圍為200-500 kg/m²s,入口過(guò)冷度的范圍為5-20℃。實(shí)驗(yàn)中還設(shè)置了四個(gè)不同的流動(dòng)方向角,分別為0°（底面加熱水平流動(dòng)）、90°（豎直向上流動(dòng)）、180°（頂面加熱水平流動(dòng)）、270°（豎直向下流動(dòng)）,并且進(jìn)一步采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）方法在普通親水硅片表面上制備得到超親水納米二氧化硅表面,以探究其對(duì)傳熱的強(qiáng)化作用。本文的主要結(jié)果如下:（1）沸騰曲線中具有明顯的起始沸騰點(diǎn)（ONB）與臨界熱流密度（CHF）,且ONB處沒(méi)有明顯的核態(tài)沸騰滯后現(xiàn)象。由于通道兩側(cè)壁面附近溫度梯度較低,該處汽泡成核更為顯著。兩相流型與熱流密度以及時(shí)間變化相關(guān),在低熱流密度下主要為孤立泡狀流,在高熱流密度下主要為拉長(zhǎng)汽泡... 

【文章來(lái)源】：浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

微通道換熱在一些微機(jī)械電子器件中的應(yīng)用

主要實(shí)

浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文3實(shí)驗(yàn)方案與數(shù)據(jù)處理21圖3.2等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝流程(a)進(jìn)樣艙(b)化學(xué)氣相沉積室圖3.3等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備在使用PECVD方法制備納米二氧化硅表面的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)反應(yīng)條件參數(shù)對(duì)表面潤(rùn)濕性有較大的影響，其關(guān)系如表3.2所示。未處理硅片表面具有普通親水特性，其接觸角約為65°；沉積有1000nm厚度二氧化硅的表面同樣具有普通親水特性，其接觸角約為50°；而沉積有100nm厚度二氧化硅的表面具有超親水特性，其接觸角小于5°。表3.2PECVD法制備過(guò)程參數(shù)對(duì)表面潤(rùn)濕性的影響過(guò)程溫度(℃)反應(yīng)時(shí)間(s)沉積速度(nm/s)沉積厚度(nm)接觸角(°)親水硅片表面----~65親水納米表面20330~3~1000~50超親水納米表面2035~3~100<5為了定量表征不同表面的親水特性，采用“座滴法”結(jié)合OCA20視頻接觸角采集儀與SCA20接觸角測(cè)量軟件測(cè)量表面的靜態(tài)接觸角。測(cè)量過(guò)程為：將待測(cè)樣品表面水平放置于

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]微通道內(nèi)流動(dòng)沸騰換熱特性實(shí)驗(yàn)研究[J]. 田茹.  低溫與超導(dǎo). 2016(12)
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[4]微通道熱沉內(nèi)液氮的流動(dòng)沸騰換熱實(shí)驗(yàn)[J]. 賈洪偉,張鵬,郭濤,付鑫,江世臣.  上海交通大學(xué)學(xué)報(bào). 2014(09)



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