808nm高功率半導(dǎo)體激光器芯片研究
發(fā)布時(shí)間:2021-08-24 03:41
半導(dǎo)體激光器由于其體積小、重量輕、閾值電流低、電光轉(zhuǎn)換效率高,并且可以采用注入電流的方式來泵浦等優(yōu)點(diǎn),因此,被廣泛應(yīng)用于激光泵浦、先進(jìn)制造、光纖通訊、數(shù)據(jù)存儲、科研和醫(yī)療美容等領(lǐng)域。808nm高功率半導(dǎo)體激光器是全固態(tài)激光器(Nd:YAG)最理想的泵浦源。隨著激光技術(shù)的不斷發(fā)展,其對半導(dǎo)體激光泵浦源的要求也越來越高,主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:(1)提高其在連續(xù)或準(zhǔn)連續(xù)工作模式下的光功率,滿足日益增長的功率需求;(2)提高電光轉(zhuǎn)換效率,降低激光系統(tǒng)的功耗和體積以及以節(jié)約使用成本;(3)提高光束質(zhì)量,滿足光纖耦合的應(yīng)用需求;(4)提高可靠性以及工作壽命,以應(yīng)付嚴(yán)苛的工作環(huán)境;因此本文主要圍繞著808nm半導(dǎo)體激光器的高功率和高效率開展工作,研究了808nm半導(dǎo)體激光器的芯片基本原理、制備工藝和測試分析等。主要研究內(nèi)容如下:1.本文簡單介紹了半導(dǎo)體激光器的發(fā)展現(xiàn)狀、基本原理及其優(yōu)點(diǎn)。并著重對808nm高功率半導(dǎo)體激光器國內(nèi)外研究現(xiàn)狀及其應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行了介紹。2.介紹了半導(dǎo)體激光器的基本特性,包括閾值電流密度、輸出功率、電光轉(zhuǎn)換效率、內(nèi)量子效率、內(nèi)損耗、腔面反射率等參數(shù)。影響半導(dǎo)體激光器輸出功率的...
【文章來源】:陜西師范大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:75 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-2半導(dǎo)體激光器基本工作原理??
CW模式工作時(shí)功率達(dá)到40W以上,斜率效率為1.1-1.2W/A,效率達(dá)到50%。??該器件結(jié)構(gòu)使用了?InGaAlAs雙量子阱(DQW)作為有源區(qū),采用大光腔波??導(dǎo)(LOC)結(jié)構(gòu)K,如下圖1-4所示。??100?????,???1???j???,???1?2.0??I?j?I?_?—??Votttge?j??…一4-一-.-r-"""。?'.??75-??—???—????—?-?1?5??jiLl???一.?——Po??r??g*?2?!?丨?Eftoeney}?<??*3?O*?50????-?-?-j-?????1.〇?m????卜招!?I??―料—t—r—°s??0???,???i???:???10.0??0?20?40?60?80?100??Current?IAJ??Figure?1-4?1cm?Bar?PIV?Curve?in?CW?Mode??圖1-4?CW工作模式下,lcm巴條PIV曲線??1999年,Jun?Wang,?Sminth等人報(bào)道了使用MBE?(分子束外延)生??長的808nm半導(dǎo)體激光器單管器件,其腔內(nèi)損耗0.75cm_1,最高電光轉(zhuǎn)換效??率高達(dá)65.5%?[4]。??2001年,DILAS公司的M.Behringer等,研究了在準(zhǔn)連續(xù)工作模式下,??808nm的單量子阱(SQW)和雙量子阱(DQW)結(jié)構(gòu)的高功率半導(dǎo)體激光器??的退化行為。lcm巴條的填充因子為50%,研宄了在相同的電流密度和溫度??情況下
Figure?1-8?PIV?curve?of?working?temperature?15?°?C,?fill?factor?20%,?1.5?mm??cavity?length?CW?semiconductor?laser??圖1-8工作溫度15°C,填充因子20%,?1.5mm腔長CW半導(dǎo)體激光器PIV曲線??2008年,國內(nèi)的李琳等人,通過分子束外延生長的非對稱波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的??InGaAlAs-AlGaAs雙量子講808nm半導(dǎo)體激光器,使用非對稱波導(dǎo)結(jié)構(gòu),在??CW工作模式下顯示出高的量子效率和電光轉(zhuǎn)換效率。器件的閾值電流密度??為180A/cm2,斜率效率為1.4W/A。內(nèi)部損耗和內(nèi)部量子效率分別為l.lcnr1??和97%。在條寬100pm、腔長1000pm的器件中實(shí)現(xiàn)了?75%的最大轉(zhuǎn)換效率??M,如下圖1-9所示。??0.61??I?0.7.?'?'? ̄?',.1?'???K?^?1\??卜?/?i::?/?—??%?〇.1?J?的0?和6??10?ai???2D??a%.0?0.5?1.0?1.5?2.0?2<5?3.0?3.5?4.0??Current?(A)??Figure?1-9?Cavity?length?1mm,?drive?current?4A?in?CW?working?mode??圖1-9腔長1mm,?CW工作模式下,驅(qū)動電流4A??8??
本文編號:3359207
【文章來源】:陜西師范大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:75 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-2半導(dǎo)體激光器基本工作原理??
CW模式工作時(shí)功率達(dá)到40W以上,斜率效率為1.1-1.2W/A,效率達(dá)到50%。??該器件結(jié)構(gòu)使用了?InGaAlAs雙量子阱(DQW)作為有源區(qū),采用大光腔波??導(dǎo)(LOC)結(jié)構(gòu)K,如下圖1-4所示。??100?????,???1???j???,???1?2.0??I?j?I?_?—??Votttge?j??…一4-一-.-r-"""。?'.??75-??—???—????—?-?1?5??jiLl???一.?——Po??r??g*?2?!?丨?Eftoeney}?<??*3?O*?50????-?-?-j-?????1.〇?m????卜招!?I??―料—t—r—°s??0???,???i???:???10.0??0?20?40?60?80?100??Current?IAJ??Figure?1-4?1cm?Bar?PIV?Curve?in?CW?Mode??圖1-4?CW工作模式下,lcm巴條PIV曲線??1999年,Jun?Wang,?Sminth等人報(bào)道了使用MBE?(分子束外延)生??長的808nm半導(dǎo)體激光器單管器件,其腔內(nèi)損耗0.75cm_1,最高電光轉(zhuǎn)換效??率高達(dá)65.5%?[4]。??2001年,DILAS公司的M.Behringer等,研究了在準(zhǔn)連續(xù)工作模式下,??808nm的單量子阱(SQW)和雙量子阱(DQW)結(jié)構(gòu)的高功率半導(dǎo)體激光器??的退化行為。lcm巴條的填充因子為50%,研宄了在相同的電流密度和溫度??情況下
Figure?1-8?PIV?curve?of?working?temperature?15?°?C,?fill?factor?20%,?1.5?mm??cavity?length?CW?semiconductor?laser??圖1-8工作溫度15°C,填充因子20%,?1.5mm腔長CW半導(dǎo)體激光器PIV曲線??2008年,國內(nèi)的李琳等人,通過分子束外延生長的非對稱波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的??InGaAlAs-AlGaAs雙量子講808nm半導(dǎo)體激光器,使用非對稱波導(dǎo)結(jié)構(gòu),在??CW工作模式下顯示出高的量子效率和電光轉(zhuǎn)換效率。器件的閾值電流密度??為180A/cm2,斜率效率為1.4W/A。內(nèi)部損耗和內(nèi)部量子效率分別為l.lcnr1??和97%。在條寬100pm、腔長1000pm的器件中實(shí)現(xiàn)了?75%的最大轉(zhuǎn)換效率??M,如下圖1-9所示。??0.61??I?0.7.?'?'? ̄?',.1?'???K?^?1\??卜?/?i::?/?—??%?〇.1?J?的0?和6??10?ai???2D??a%.0?0.5?1.0?1.5?2.0?2<5?3.0?3.5?4.0??Current?(A)??Figure?1-9?Cavity?length?1mm,?drive?current?4A?in?CW?working?mode??圖1-9腔長1mm,?CW工作模式下,驅(qū)動電流4A??8??
本文編號:3359207
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