隨著信息技術的迅速發(fā)展,人們對電子器件和電路集成度的要求越來越高。傳統(tǒng)的晶體管無論在尺寸大小、性能等方面都面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)。憶阻器是一種新型電路元件,它具有低功耗、納米尺度、記憶特性等優(yōu)良性能,在非易失存儲器、數字邏輯電路和神經網絡等領域有著廣闊的潛在應用前景。憶阻器的納米尺度和記憶特性使其成為構建新一代人工突觸的最好選擇。本文在介紹憶阻器與神經網絡理論的基礎上,設計了帶窗函數的HP憶阻器突觸及新型憶阻神經網絡模型,實現了學習、聯想記憶與遺忘過程的高級生物活動。本文主要內容如下:（1）為了確定憶阻器與憶容器那個更適合模擬神經元突觸,提出了兩種憶容器模型,推導了憶容器的容值計算公式,并與兩種憶阻器模型進行了性能比較,分析結果表明憶阻器更適合于神經元突觸的設計,從而選定帶窗函數的HP憶阻器模型用于神經網絡的設計。（2）基于帶窗函數的HP憶阻器模型,設計了與門和或門邏輯電路,分析了門電路工作原理,通過SPICE軟件對邏輯門電路進行了仿真,驗證了其邏輯關系,為本文的神經網絡電路設計奠定基礎。（3）設計了一種改進的CMOS神經元電路,對電路的工作原理進行了理論分析與仿真;提出了一種新的突觸權重修... 

【文章來源】：杭州電子科技大學浙江省

【文章頁數】：54 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

HPTiO2交叉陣列存儲結構

【參考文獻】：
期刊論文
[1]雙極性脈沖憶阻橋電子突觸神經網絡及圖像處理[J]. 馮廣,段書凱,王麗丹.  中國科學:信息科學. 2017(03)



本文編號：3353322