MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）因?yàn)楣牡�、工藝成熟、集成度高以及與模擬電路的耦合性良好等優(yōu)勢在射頻集成電路中充當(dāng)著不可或缺的角色。在設(shè)計(jì)和研發(fā)電路時,為了降低研發(fā)成本,技術(shù)人員利用器件模型代替實(shí)物對電路進(jìn)行模擬。同時,器件工藝的不斷發(fā)展對器件的模型精度與速度提出了更高的需求。人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)無論是在建模速度上還是模型精度上均能滿足需求。而且隨著計(jì)算機(jī)運(yùn)行速度不斷加快,算法的不斷發(fā)展,人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢將會更加明顯。本文主要研究了基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的射頻120納米MOSFET建模技術(shù)。本文在深入研究了當(dāng)前射頻MOSFET模型的基礎(chǔ)上,提出了基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的MOSFET模型。本文主要的研究工作包括:1)對MOSFET器件小信號等效電路模型的參數(shù)提取過程進(jìn)行闡述。同時,推導(dǎo)了本征元件的計(jì)算公式。2)在對器件的S參數(shù)進(jìn)行建模仿真的過程中,提出了兩種神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型:基于知識基的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型和基于直接法的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。這兩種神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型較傳統(tǒng)的小信號本征參數(shù)模型有很大的不同。它們不僅具有更快的建模速度,而且能對不同偏置電壓下的S參數(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確的預(yù)測。3)對MOSFET的STATZ模型的參數(shù)提取過... 

【文章來源】：華東師范大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

小信號模型參數(shù)提取流程

S參數(shù)圖（偏置電壓gsV=1V和dsV=0.8V）

S參數(shù)圖（偏置電壓gsV=1.2V和dsV=0.8V）

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]高擊穿電壓AlGaN/GaN HEMT電力開關(guān)器件研究進(jìn)展[J]. 張明蘭,楊瑞霞,王曉亮,胡國新,高志.  半導(dǎo)體技術(shù). 2010(05)

博士論文
[1]BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的理論及其在農(nóng)業(yè)機(jī)械化中的應(yīng)用研究[D]. 王吉權(quán).沈陽農(nóng)業(yè)大學(xué) 2011

碩士論文
[1]基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的射頻元件建模與仿真軟件的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 馬君.西安電子科技大學(xué) 2010



本文編號：3346532