Ⅴ₂-Ⅵ₃（Ⅴ=Sb,Bi;Ⅵ=S,Se,Te）半導體材料由于其低毒、環(huán)保以及優(yōu)越的熱電、光電等特性,受到越來越多的關注和研究。作為典型代表,Sb₂S₃是一種具有層狀結構的直接帶隙半導體（E_g=1.78 eV）,通常低溫合成下為非晶態(tài),高溫時以正交晶系結晶生長。因其合適的帶隙寬度、大的吸收系數(shù)、高的電子遷移率、良好的光電導性、光伏特性,Sb₂S₃基材料是諸多光電器件中廣泛研究的一類材料。當前,在此類材料制備、尺寸/形貌調(diào)控、材料表面修飾及光電性能增強等方面仍然存在很多待解決的問題。本文以Sb₂S₃為主要研究對象,開展了以下研究工作:1.研究了非晶Sb₂S₃（a-Sb₂S₃）膠體的合成及界面N-Sb非鍵作用增強聚乙烯吡咯烷酮（PVP）包覆Sb₂S₃非晶膠體的光電性... 

【文章來源】：江蘇大學江蘇省

【文章頁數(shù)】：93 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

金屬、半導體和絕緣體的不同電子能帶結構的比較

對較窄的能量范圍內(nèi)，形成能帶。由具有價電子并且如果原始每個電子態(tài)有兩個電子則被完全子態(tài)只有一個電子則占據(jù)一半。由最低未占據(jù)的，因為當電子被引入其中時，它主要負責電子 1.1 金屬、半導體和絕緣體的不同電子能帶結構的比arison of different electronic band structures of metals, sinsulators

江蘇大學碩士學位論文尺寸減小，能級間距增加，這被稱為量米粒子最顯著的特征之一是由于量子，CdS 的玻爾半徑小于或等于 2.4nm 的于體積的光學吸收的顯著藍移所表明 1.3 所示，CdSe 納米粒子的電子吸收。半導體納米材料的禁帶寬度相對于塊的關系可以用公式 1.2 來表示： 1.786 2 有效質(zhì)量,mh為空穴的有效質(zhì)量, 為

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3345004