�、�₂-Ⅵ₃（Ⅴ=Sb,Bi;Ⅵ=S,Se,Te）半導(dǎo)體材料由于其低毒、環(huán)保以及優(yōu)越的熱電、光電等特性,受到越來(lái)越多的關(guān)注和研究。作為典型代表,Sb₂S₃是一種具有層狀結(jié)構(gòu)的直接帶隙半導(dǎo)體（E_g=1.78 eV）,通常低溫合成下為非晶態(tài),高溫時(shí)以正交晶系結(jié)晶生長(zhǎng)。因其合適的帶隙寬度、大的吸收系數(shù)、高的電子遷移率、良好的光電導(dǎo)性、光伏特性,Sb₂S₃基材料是諸多光電器件中廣泛研究的一類(lèi)材料。當(dāng)前,在此類(lèi)材料制備、尺寸/形貌調(diào)控、材料表面修飾及光電性能增強(qiáng)等方面仍然存在很多待解決的問(wèn)題。本文以Sb₂S₃為主要研究對(duì)象,開(kāi)展了以下研究工作:1.研究了非晶Sb₂S₃（a-Sb₂S₃）膠體的合成及界面N-Sb非鍵作用增強(qiáng)聚乙烯吡咯烷酮（PVP）包覆Sb₂S₃非晶膠體的光電性... 

【文章來(lái)源】：江蘇大學(xué)江蘇省

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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金屬、半導(dǎo)體和絕緣體的不同電子能帶結(jié)構(gòu)的比較

對(duì)較窄的能量范圍內(nèi)，形成能帶。由具有價(jià)電子并且如果原始每個(gè)電子態(tài)有兩個(gè)電子則被完全子態(tài)只有一個(gè)電子則占據(jù)一半。由最低未占據(jù)的，因?yàn)楫?dāng)電子被引入其中時(shí)，它主要負(fù)責(zé)電子 1.1 金屬、半導(dǎo)體和絕緣體的不同電子能帶結(jié)構(gòu)的比arison of different electronic band structures of metals, sinsulators

江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文尺寸減小，能級(jí)間距增加，這被稱(chēng)為量米粒子最顯著的特征之一是由于量子，CdS 的玻爾半徑小于或等于 2.4nm 的于體積的光學(xué)吸收的顯著藍(lán)移所表明 1.3 所示，CdSe 納米粒子的電子吸收。半導(dǎo)體納米材料的禁帶寬度相對(duì)于塊的關(guān)系可以用公式 1.2 來(lái)表示： 1.786 2 有效質(zhì)量,mh為空穴的有效質(zhì)量, 為

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]回流法合成硫化銻納米棒及其光催化性能研究[J]. 雍高兵,朱啟安,項(xiàng)尚,陳利霞,譚志剛,徐軍古.  化學(xué)學(xué)報(bào). 2010(21)
[2]Photoluminescence properties of LaF3:Eu3+ nanoparticles prepared by refluxing method[J]. 王振領(lǐng),李敏,王暢,常加忠,石恒真,林君.  Journal of Rare Earths. 2009(01)
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本文編號(hào)：3345004