LED作為新一代顯示照明光源,現(xiàn)已成為交通顯示、會議投影、醫(yī)療照明、軍事通信等領(lǐng)域的關(guān)鍵核心器件。隨著微投影、微顯示等概念的提出,科研人員的研究目光由大尺寸器件制作逐漸向微小型靠攏。近年來,LED器件陣列化、微型化的制備技術(shù)已經(jīng)成為國內(nèi)外眾多科研團隊的研究對象。同時,隨著應用需求的不斷升級,在AR、VR顯示器、LCD背光源、全天候交通顯示屏、LIFI光源等方面具有廣闊應用前景的全色微型LED陣列器件受到越來越多的關(guān)注。目前,全色微型LED陣列正逐步向發(fā)光像素單元小、密度高的方向發(fā)展。柔性全色微型LED陣列不僅具有平面微型LED陣列的基本特點,而且可任意彎曲,進一步擴展了全色微型LED陣列的應用范圍。本論文針對微型AlGaInP-LED陣列器件的電、光及熱學性能開展研究,通過改進制備工藝方案,優(yōu)化陣列器件結(jié)構(gòu)參數(shù),提高陣列器件的發(fā)光性能。然后,對全色柔性微型LED微陣列進行了實驗研究,提出了全色微型LED陣列器件制作工藝流程并驗證了工藝的可行性。本論文的研究工作主要分為以下四部分:（1）LED器件電、光及熱學性能研究。首先,將像素單元分割成若干子像素,采用有限元計算分析了像素分割對LED... 

【文章來源】：中國科學院大學(中國科學院長春光學精密機械與物理研究所)吉林省

【文章頁數(shù)】：141 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

可見光LED器件的發(fā)展歷程

Figure 1.2 The development of visible LED devices列器件研究現(xiàn)狀器件是指在同一基底上集成的微尺寸，超高密度 L領(lǐng)域較為廣泛，如軍事偵察、生活娛樂、生命細胞國內(nèi)外眾多科研團隊開展對微型 LED 陣列器件研究ED 陣列器件主要發(fā)展歷程及研究現(xiàn)狀：LED 陣列器件研究現(xiàn)狀陣列器件斯州立大學物理系 Jin 等(2000)對帶有微型圓盤結(jié)果表明，這種新型結(jié)構(gòu)下的 LED 內(nèi)量子效率較大尺

圖 1.4 H. X. Jiang 制備的 InGaN/GaN QWs 微型顯示器Figure 1.4 InGaN/GaN QWs micro display fabricated by H. X. Jiang et al.拉斯克萊德大學 Choi 等(2004)提出一種制作高集成 LED 微陣列的采用 ICP 刻蝕方法對 GaN 基外延片進行分割，同時保證刻蝕溝槽面具有良好的電學導通特性。圖 1.5(a)為 ICP 刻蝕溝道掃描電鏡圖面通過設(shè)定不同刻蝕速率，溝道坡度將發(fā)生改變。圖 5(b)為陣列器，發(fā)光像素直徑為 20μm，圖 1.5(c)(d)分別為芯片陣列及具有 128×像素單元的微平面顯示器。


本文編號：3333095